필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성에 미치는 영향

소개글

필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성에 미치는 영향에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. Introduction

2. Experiment

3. Data

4. Discussion

5. Conclusions

본문내용

The optimum annealing temperature for the maximum PL yield strongly depends on the film thickness and varies from 800 to 1200 °C.
The PL intensity is directly related to the content of the Si–-N bonds in the SiNx films.
Excessively high annealing temperatures lead to weakened Si–-N bonds
(which effectively control the PL intensity)
in thinner SiNx films, which eventually results in a lower PL intensity.

키워드

반도체,   어닐링 온도,   annealing ,   필름,   film,   두께,   thickness,   광학