목차
1. 반도체의 의미
2. 반도체 제품 종류
3. DRAM의 기본구조
4. 반도체 제조 FLOW
5. 반도체 FAB제조 공정
6. 공정개요 : CVD
6. 공정개요:PVD(SPUTTER)
6. 공정개요: CMP
6. 공정개요 : DIFFUSION
6. 공정개요 : PHOTO
6. 공정개요:PHOTO(장치개략도)
6. 공정개요:PHOTO(기술동향)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-1)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-2)
6. 공정개요:PHOTO(성능차이)
6. 공정개요 : ETCH
6. 공정개요:ETCH(ASHER/세정)
6. 공정개요:ION IMPLANTATION
7. 차세대 반도체 생산을 위한 기술 변화
8. 수율의 종류 및 의미
9. 수율을 결정하는 요소
2. 반도체 제품 종류
3. DRAM의 기본구조
4. 반도체 제조 FLOW
5. 반도체 FAB제조 공정
6. 공정개요 : CVD
6. 공정개요:PVD(SPUTTER)
6. 공정개요: CMP
6. 공정개요 : DIFFUSION
6. 공정개요 : PHOTO
6. 공정개요:PHOTO(장치개략도)
6. 공정개요:PHOTO(기술동향)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-1)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-2)
6. 공정개요:PHOTO(성능차이)
6. 공정개요 : ETCH
6. 공정개요:ETCH(ASHER/세정)
6. 공정개요:ION IMPLANTATION
7. 차세대 반도체 생산을 위한 기술 변화
8. 수율의 종류 및 의미
9. 수율을 결정하는 요소
본문내용
(1) 반도체 재료
a. 정의: 도체와 부도체의 중간의 저항을 가진 물질로 주변환경에(온도,전압…) 따라 전도성에 변화를 나타내는 재료
(2) 반도체 제품
a. 정의: 반도체 재료를 이용하여 Transistor, 논리소자등을 제조하여 기능성 제품으로 만든 것
b. 종류
* MOS (Metal Oxide Semiconductor) : GATE전극(Metal)에 전압을 가해 반도체(Semiconductor)를 도체화 시켜 Source와 Drain間에 전류가 통하게 하는 소자
a. 정의: 도체와 부도체의 중간의 저항을 가진 물질로 주변환경에(온도,전압…) 따라 전도성에 변화를 나타내는 재료
(2) 반도체 제품
a. 정의: 반도체 재료를 이용하여 Transistor, 논리소자등을 제조하여 기능성 제품으로 만든 것
b. 종류
* MOS (Metal Oxide Semiconductor) : GATE전극(Metal)에 전압을 가해 반도체(Semiconductor)를 도체화 시켜 Source와 Drain間에 전류가 통하게 하는 소자
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