기초전자공학실험-쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성, 목적, 실험장비, 장비목록, 이론 개요, 실험순서, 토의 및 고찰

목차

1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4. 이론 개요
5. 실험순서
6. 토의 및 고찰

본문내용

4
0.67
4.86
0.995
242
10
4.94
4.94
0.67
4.96
0.995
247
12
5.05
5.05
0.66
5.07
0.995
252.5
14
5.16
5.16
0.66
5.18
0.995
258

9.9


30

0.5
6.86
6.86
0.7
6.89
0.995
228
1
6.89
6.89
0.7
6.92
0.995
229
1.5
6.92
6.92
0.7
6.95
0.995
231
2
7.01
7.01
0.69
7.04
0.995
233.6
4
7.19
7.19
0.69
7.22
0.995
239.6
6
7.37
7.37
0.69
7.40
0.995
245.6
8
7.62
7.62
0.68
7.65
0.995
254
10
7.86
7.86
0.67
7.89
0.995
262

13.2


40

0.5
8.98
8.98
0.70
9.01
0.995
224
1
9.25
9.25
0.70
9.28
0.995
224.5
1.5
9.34
9.34
0.70
9.37
0.995
231
2
9.80
9.80
0.69
9.80
0.995
245
4
9.83
9.83
0.69
9.87
0.995
245.7
6
10.16
10.16
0.69
10.20
0.995
254
8
10.47
10.47
0.68
10.51
0.995
261.7

16.5


50

0.5
10.78
10.78
0.71
10.81
0.995
215
1
11.49
11.49
0.71
11.52
0.995
223
1.5
11.64
11.64
0.71
11.67
0.995
233
2
12.12
12.12
0.70
12.17
0.995
242.4
4
12.41
12.41
0.70
12.46
0.995
310.25
6
12.89
12.89
0.69
12.94
0.995
322.25
가장 큰 값은 어떤 영역인가? VCE와 IC의 관계된 값을 사용하여 설명하라.
▷ 의 영역 13.2V
40㎂
VCE와 IC의 관계된 값?
▷ 커질수록 조금씩 증가한다.
가장 작은 값은 어떤 영역인가? VCE와 IC의 관계된 값을 사용하여 설명하라.
▷ 의 영역 3.3V
10㎂
VCE와 IC의 관계된 값?
▷ 커질수록 조금씩 증가한다.
c. 값 중에서 가장 큰 것과 가장 작은 것을 찾아라.
그리고 그림 8-3의 그림에 그들의 위치를 max와 min을 사용하여 표시하라.
▷max : 244
▷min : 217
d. 일반적으로 는 IC가 증가함에 따라 증가하는가? 감소하는가?
▷ 증가한다.
e. 일반적으로 는 VCE의 증가에 따라 증가하는가? 감소하는가?
에 VCE가 미치는 영향은 IC보다 큰가? 작은가?
▷ VCE의 증가에 따라 증가한다.
가 VCE에 미치는 영향 IC보다 작다.
6. 토의 및 고찰
▷ 더욱 정확한 트랜지스터의 특성 곡선을 얻어 내기 위하여 VCE 값이 0.5V
1V 1.5V인것을 추가적으로 실험하였다.
▷ alpha 값은 0.995 계산 되었으며, 1에 가까웠다.
▷ beta 값은 조금씩 증가하였고, 거의 일정하다고 볼수 잇었다.
beta 값은 트랜지스터의 증폭도로, 전압에 영향을 덜 받을수록 이상적 트랜지스터에
가깝다는것을 알수 잇었다.
▷ 처음 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 방향구별이 힘들었는데,
DMM의 사용법을 숙지하고 정확히 측정할수 있었다.
▷ 가변저항의 값을 정해주지 않고, 전압을 먼저 조절하다 저항이 타버리는 결과가
생겼다.
목차
1.목적
2.실험장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성)

키워드

쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성,   디지털멀티미터,   DDM,   트렌지스터,   계측장비,   곡선추적기