전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성

소개글

전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

AC 저항을 계산하라.
rd (계산값) = 2.88 Ω
5(a) 와 5(b)의 결과를 비교하라.
2Ω 정도의 오차가 있지만 워낙 미세한 값이기 때문에 허용 할 수 있다고 봅니다.
c. Si 다이오드에 대해서 ID = 2mA 일 때 5(a)를 반복하라.
rd (계산값) = I 는 1.01mA -> 2.02 mA 일때 V 는 0.032V 증가. 따라서 V/I = 32Ω
d. Si 다이오드에 대해서 식 rd = 2(26mV/ID(mA))를 이용하여 ID = 2mA에서 과정을 보이며
AC저항을 계산하라.
rd (계산값) = 2*(26/2) = 32 Ω
5(c)와 5(d)의 결과를 비교하라.
정확하게 일치합니다.
6.문턱진압
이론에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라.
VT(Si) =
고찰
Si와 Ge다이오드의 특성을 확인하기 위하여 실시한 실험 이였지만 실제 실험 소자의 값은 실리콘 소자와 비슷하지 않았던 것 같다. Ge 다이오드는 범용적으로 사용되지 않아서 역시 실험실에서 실습할 수 없었다. 하지만 다이오드의 특성을 실험하기엔 충분한 결과를 확인 할 수 있었고 직접 특성곡선을 그려넣어 동작을 얻었다. 하지만 손으로 계산한 DC저항, AC저항 등의 값은 실제 실험값과 다소 차이가 있었고 이는 소자의 차이로 발생한 오차라고 생각한다. 온도에 따른 다이오드의 특성 역시 실제 행하진 못하였지만 그 원리에 대해 숙지 할 수 있는 기회가 되었다. 다음 실험부터는 실제 소자의 특성을 확인하여 시뮬레이션과 직접 비교 해 보며 최대한 오차를 줄이도록 확인할 생각이다.

키워드

전자회로 설계 및 실험 ,   다이오드 특성,   측정,   검사,   멀티미터 연결,   검사단자,   저항단자