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1. CVD (cheical vapor deposition):
gas 상태의 화학성분(chemical constituents)들이 높은 온도의 기판 위에서 반응하여, 기판 위에 (비휘발성) 고상을 생성하는 재료합성공정.
2. 응용 분야:
- thin film, coating 제조
- solid state electronic devices 제조
- ball bea
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박막(Thin film)
1) 박막이란?
2) 박막형성기술의 개요
3) 박막형성기술
4) 박막의 제조방법
(1) 화학적 및 전기화학적 방법
① 음극 전해 성막법
② 무전극 또는 무전기 성막법
③ 양극 산화법
④ CVD (chemical vapor deposition)
⑤ 액상 에피탁시법
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공학', 복두출판사, 1995
[6] 이종덕, '실리콘집적회로 공정기술', 대영사, 1997
[7] 신현국, 'CVD/ALD 재료 기술 동향', (주)유피 케미컬, 2005
[8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition’, 전북대학교, 2008
참 고 사 이 트
[9] http://blog.naver.com/ycin6306/900
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실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
6. 참고자료
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cvd?
Principle of cvd
High purity and quality deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- Hi
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