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박막 프로세스의 기초> ,김원찬 저 ,피어슨에듀코리아, 2000년 1.박막공정
1.1. 박막공정의 정의
1.2. 박막공정의 과정
2. 세척
3. 증착
3.1. 증착의 정의
3.2. 증착의 종류
3.3. 증착의 요구 조건
4. PVD
4.1. PVD의 정의
4.2. PVD의
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박막트랜지스터(Thin Film Transistor) 기술 개요
1.1 TFT 기술 개요
1.2 TFT 전체 제조 공정
2. TFT 단위공정 & 개선기술
2.1 TFT 단위공정 소개
2.1.1 박막증착 공정
2.1.2 식각 공정
2.1.3 포토리소그래피 공정
2.1.4 이온주입 공정
2.2 TFT 단위
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박막에 많은 영향을 주는 것을 알 수 있었고 또한 진공도에서 주입량이 5sccm 이하에서 제작된 박막의 투과율이 현저히 떨어졌고, 5sccm 이상에서 제작된 박막의 투과율을 좋았다. 그러나 5sccm이상의 경우에 박막의 저항이 증가하여 5sccm으로 고
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-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착
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Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작
1) Thin-Film Solar Cell 주요 공정
2) 재사용 wafer vs. New wafer 성능 비교
2. 실습결과 정리(Single Junction, Triple Junction)
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