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박막이 되는 기본 메커니즘이다.
박막의 제조방법
박막의 제조방법에는 음극 전해 성막법, 무전극 또는 무전기 성막법, 양극 산화법, CVD법 , 액상 에피탁시법, Langmuir-Blodgett 막 형성법, 흡착 방법이 있다
1-1)음극 전해 성막법
성막될 물질
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1. CVD (cheical vapor deposition):
gas 상태의 화학성분(chemical constituents)들이 높은 온도의 기판 위에서 반응하여, 기판 위에 (비휘발성) 고상을 생성하는 재료합성공정.
2. 응용 분야:
- thin film, coating 제조
- solid state electronic devices 제조
- ball bea
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CVD법에 비해 낮은 증착온도를 필요로 하는 장점이 있다. 그리고 다른방법으로는 얻을 수 없는 합금계 박막을 얻을 수 있다.
PEPVD(plasma enhanced physical vapor deposition)
PVD의 원리와 같이 물리적인 힘을 가하여 박막 증착시키는 방법으로 비교적 낮
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Volmer - Weber Mode
▶ Stranski - Krastonov Mode
▶ Frank van der Merwe Mode
▶ 화학 증착법
▶ Thermally activated CVD
▶ CVD sources used and criteria for choice
▶ Hot wall reactor
▶ Cold wall reactor
▶ Parallel flow
▶ Normal flow
▶ 율속지배단계
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증착.
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨. PVD
원리 및 종류 그리고 특징
CVD
원리 및 종류 그리고 특징
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CVD 공정 연구 성과 달성]
학부 연구생으로 활동하며 CVD 방식을 이용한 '단층 MoS2 박막 합성 최적화' 연구에 참여했습니다. 이 과정에서 MoS2 박막 합성 실험과 OM 및 AFM 분석을 통해 공정 매개변수에 대한 광범위한 데이터를 수집했습니다. 연구
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CVD나 스퍼터링에 대한 지식을 배우고자 현재 박막재료 강의를 수강 중에 있습니다. 신소재공학 전공지식을 바탕으로 각 공정에서 수율 향상을 이끌어 내겠습니다.
둘째, 효율성 향상뿐만 아니라 제품의 불량을 줄일 수 있는 분석력을 가지고
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박막 / 00 공정에대해 아는 것을 모두 말해봐라” 였고 반도체 공정 CVD,ALD 두가지 차이점과 트레이트오프관계 그리고 어떤 것이 반도체장비사이 좀더 중점적으로 발전시켜나가고 있는가에 대해 말씀드렸더니 더 이상 전공에 관한 질문은 들어
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