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법은 그 원리나 장치적인 면에서 부분적으로 수정하여 더욱 우수한 품질의 결정을 성장시키려는 연구가 진행되고 있으며, 유용한 결정성장법으로의 그 위치를
차지하고 있다.
7. 참고 문헌
(1) Floating Zone 법에 의한 Rutile(TiO2) 단결정 육성/신재
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성장시키는 방법에는 위에서 언급한 것과 같이 Seed법과 Non-seed법이 있다. Spinel 단결정 육성 시 육성속도에 관련된 인자는 tapping과 지지봉의 하강 속도이며, spinel 육성 시 고온에서 MgO의 휘발성을 감안할 때, 육성중 지지봉의 하강속도를 일정
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단결정을 성장 시켜야 함 ( 결정 전체의 결정학적 방위가 일치하여야 하고, 입계가 존재하면 안됨 )
격자결함, 전위, 미량의 불순물의 존재는 피할수 없음
브리지만법 2)
이 방법은 polycrystalline material(다결정질 물질_출발물질)을 한 쪽 끝이
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단결정 성장법
1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)
2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)
3. 액체캡슐법
4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)
5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)
▣ npn 반도체에서의 전자의 이동
1. 트랜지스터의 의의
2. 구
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법)
대역 용융법(Floating Zone method)
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≪ 그 림 ≫
특징
1. 도가니의 부재
고순도의 단결정이 얻어짐
2. 고저항률 (300[Ω㎝]) 의
단결정을 얻을 수 있음 1.단결정 성장 공정
1
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