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Verneuil process 에 대해 깊은 관심을 갖게 해주신 교수님께 감사의 말씀을 드린다.
4. 참고문헌 및 논문
① 한국세라믹학회지(Journal of The Korean Ceramic Society)
<1988년도 25권 5 호 Page 495~501>
제목 : Verneuil법에 의한 Sapphire 단결정 성장
저자 : 주경,
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법
6. Verneuil법
7. LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)
8. Hydrothremal method
9. VGF(Vertical Gradient Freeze)
2. Analysis method
Growth of single crystal thin film
-1. Hot Wall Epitaxy(HWE method)
2. CVD(Chemical vapor deposition)
3. Sputtering
4. Molecular beam epitaxy(MBE)
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법
고속성장, 소자용 결정층의 제작에 용이,
낮은 온도에서 제작 ‘에피텍시(=Epitaxy) 란?’ 및 종류
‘기상 에피텍시’ 란 ?
‘HVPE’ 에 대하여
1) HVPE를 이용한 GaAs 성장
.2) HVPE를 이용한 Sapphire 기판 위 GaN 성장
HVPE 의 장
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성장케 하는 방법, 즉 용융법이 있다. 이 용융법에는 기술적으로 화염용융법(火焰熔融法)과 단결정을 원하는 형상으로 성형시 절삭(切削), 연삭(硏削), 연마 등의 가공이 필요한 베르뇌유(Verneuil)법, 그리고 용융된 액면에 씨앗결정을 접촉시켜
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성장케 하는 방법, 즉 용융법이 있다. 이 용융법에는 기술적으로 화염용융법(火焰熔融法)과 단결정을 원하는 형상으로 성형시 절삭(切削), 연삭(硏削), 연마 등의 가공이 필요한 베르뇌유(Verneuil)법, 그리고 용융된 액면에 씨앗결정을 접촉시켜
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