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함으로 박막층이 만들어지게 하는 방법.
대표적으로 2가지 방법이 있다.
1) 스파터링(sputtering)
2) 진공증착(vacuum evaporation) 막 형성공정
1. 막 형성공정은?
2. 화학 기상 증착 (CVD)
3. 물리 기상 증착 (PVD)
4. 원자층 화학증착(ALCVD)
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형성을 하지 못해 capacitor로서 역할을 하지 못한다는 것을 알 수 있다.
이 실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
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막형성 메커니즘은
1. 플라스마에서 이온과 라디칼 형성 1. 화학기상증착(CVD)법
1) 熱 CVD
2) 플라스마 CVD
3) 光 CVD
4) MO-CVD
5) 레이저 CVD
2. 원자층 화학박막증착법(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD)
3. PVD(physical vapor depositi
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PVD와 CVD의 비교 [12]
※ AR < 0.5 이면, OK
※ 0.5 < AR < 1이면, marginal
※ AR > 1 이면, poor
그림 6. Aspect Ration & Step Coverage [12]
그림 7. LPCVD [1]
그림 8. APCVD [1]
그림 9. PECVD [1]
박막의 종류
디바이스 응용예
Si3N4
·선택산화공정(LOCOS)의 내산화 필름
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막제조기술로 가장 많이 활용되고 있으며 특히 IC등의 생산공정에서는 매우 중요한 단위공정이다.
그 이유는 화학증착이 높은 반응온도와 복잡한 반응경로 그리고 대부분의 사용기체가 매우 위험한 물질이라는 단점에도 불구하고 고유
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