반도체 제조 공정 중 막형성 공정 발표자료입니다 - 막 형성공정.pptx
본 자료는 8페이지 의 미리보기를 제공합니다. 이미지를 클릭하여 주세요.
닫기
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
해당 자료는 8페이지 까지만 미리보기를 제공합니다.
8페이지 이후부터 다운로드 후 확인할 수 있습니다.

소개글

반도체 제조 공정 중 막형성 공정 발표자료입니다 - 막 형성공정.pptx에 대한 보고서 자료입니다.

목차

막 형성공정


1. 막 형성공정은?
2. 화학 기상 증착 (CVD)
3. 물리 기상 증착 (PVD)
4. 원자층 화학증착(ALCVD)

본문내용

막 형성공정




1. 막 형성공정은?




1. 막 형성공정은?

반도체 소자 제작에 많이 사용되는 박막은 열적 성장이나 물리적 증착, 혹은 화학 반응에 의해 증착되는 금속, 반도체, 부도체의 얇은 층을 말한다.

 박막 제조의 대표적인 4가지 방법은 다음과 같다

 1) 화학 기상증착 (CVD : chemical vapor deposition)

 2) 물리 기상증착 (PVD : physical vapor deposition)

 3) 원자층 화학증착 (ALCVD : atomic layer chemical vapor deposition)

 4) 전기도금 (EP : electroplating)




2. 화학 기상 증착 (CVD)




2. 화학 기상 증착 (CVD)

분류기준 : 반응 에너지원

  이름 : Thermal CVD
  특징 : 반응기에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열에너지를 이용하는 CVD 방법

  이름 : PE CVD
  특징 : Plasma Enhanced CVD로서, 반응기내 혼합 기체에 전장을 걸어 Plasma 상태를 형성하여 박막을 증착하는 방법.

  이름 : Photo CVD
  특징 : Laser 또는 자외선의 광 에너지를 반응기체의 분해 및 박막을 증착할 때 이용하는 CVD방법

공정압력

  이름 : AP CVD
  특징 : Atmospheric Pressure CVD

  이름 : LP CVD
  특징 : Low Pressure CVD

원료물질

  이름 : MOCVD
  특징 : Metal Organic CVD로서, 반응원료가 Metal 원자 및 Carbon, 산소 등과 결합하여 유기물을 형성하고 있다. 반응원료가 실온에서 대부분 액체인 관계로 기화 과정을 거쳐 반응기에 주입된다




≪ … 중 략 … ≫




3. 물리 기상 증착 (PVD)




3. 물리 기상 증착 (PVD)

원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동에너지를 가지는 해당 물질이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓이게 함으로 박막층이 만들어지게 하는 방법.

대표적으로 2가지 방법이 있다.

1) 스파터링(sputtering)

2) 진공증착(vacuum evaporation)
  • 가격5,000
  • 페이지수24페이지
  • 등록일2014.01.07
  • 저작시기2013.11
  • 파일형식기타(pptx)
  • 자료번호#901308
본 자료는 최근 2주간 다운받은 회원이 없습니다.
청소해
다운로드 장바구니