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및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2).스퍼터링의 종류
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간
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(Doping)-열확산법
21. 불순물 주입공정(Doping)-이온주입법
22. Annealing
23. Poly-Si 형성 공정
24. 금속막 형성공정
25. PVD-Evaporation
26. PVD-Sputtering
27. 평탄화 공정(Planarization)
28. 평탄화 방법(Spin On Glass, CMP)
29. 세정 공정(Cleaning)
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The optimum annealing temperature for the maximum PL yield strongly depends on the film thickness and varies from 800 to 1200 °C.
The PL intensity is directly related to the content of the Si–-N bonds in the SiNx films.
Excessively high annealing temperatures lead to weakened Si–-N
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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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