|
반도체 레이저 다이오드개발현황,서상희,김진상,임성울 한국과학기술연구원 정보전자연구부, 1993.9.10
산화물반도체의 전기적 특성에 미치는 열처리 효과, 김용운 세경대학 전기전자계열
유기반도체에 대한 연구 논문, 박진호, 영남대학교 응
|
|
|
반도체로는 Si를, 절연체에는 SiO2 를, 게이트는 Al 이 일반적으로 이용
기본동작(p형 Si기판 위에 n형 채널 형성)
n+형 소스와 드레인 영역은 p형 기판에 확산 또는 이온 주입으로 형성
얇은 산화물층(SiO2)은 Si 표면으로부터 Al 금속 게이트를 분
|
|
|
산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 유사한 특성을 갖는다. TFT에 사용되는 재료로는 비정질실리콘, 다결정실리콘, CdSe가 사용된다.
4. 전자소자의 종류
- 수동소자 : R, L, C
- 진공관 : 2극관, 3극관, CRT
- 반도체 소자
Diode
BJT
MOSFET
광전자
|
|
|
h를 이용하는 것이다. 즉, (식 6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내는 중요한 Parameter 중의 하나는 [그림 7]에 나타나 있는 Subthreshold slope이다. SS의 정의는 (식 7)과 같이 Drain 전류가
|
|
|
반도체 전계효과 트랜지스터, 대한전기학회, 2010 Ⅰ. 산화와 광화학산화제
1. 질소산화물의 광화학반응
2. 휘발성유기화합물의 광화학반응
1) 탄화수소(RH)와 하이드록실기(hydroxyl radical : OH?)의 광화학반응
2) 알데하이드기(aldehyde radical :
|
|
 |
산화물로, 화석 연료가 탈 때 나오는 황산화물이 대기 중의 수증기와 만나 황산이나 질산으로 바뀌면서 생성된다.
【문항 6】겨울철에서 봄철 사이에 이어지는 바람을 타고 고비 사막, 황토 고원의 문진과 화북동북 지방의 공업화에 따른 매
|
|
 |
반도체의 시스템LSI(비메모리) 부문의 분사기업으로서의 장점을 살리고 디스플레이구동칩(DDI), 프리미엄 파운드리(반도체 수탁가공 생산), 상보성금속산화물반도체(CMOS) 이미지센서(CIS) 등 3개 부문에서 중장기적으로 세계 1위를 달성하겠다는
|
|
메뉴펼치기
