증착 Magnetoresistance

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	Fe 박막의 증착 시 기판온도 변화에 따른 자기적 특성 연구 제작하였다. 기본적인 진공도는 부근 이었으며, Ar 압력은 정도로 비교적 일정하게 유지했다. 타겟과 기판의 거리는 였고, 회전 가능한 기판지지대(holder)를 사용하여 2개의 시편을 한 batch에서 증착하였다. 실험에서 선택한 기판의 온도는 (room Sputtering 자기저항, 증착 Magnetoresistance, Fe 박막의 증착 시 기판온도 변화에 따른 자기적 특성 연구,	페이지 26페이지 가격 3,000원 등록일 2007.11.27 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	차세대반도체중 FRAM,MRAM,PRAM에 대하여 magnetoresistance) 3. 자기저항 메카니즘 4. MRAM이란 5. MRAM의 기본 원리 6. MRAM의 구조 7. 스핀트로닉스(Spintronics) 8. 향후 전망 Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교 1. PRAM 소자의 장점과 단점 2. FRAM 소자의 장점과 단점 3. MRAM 소자의 장점과 단점 4. 메모리 PRAM MRAM, FRAM 차세대반도체, 차세대반도체중 FRAM,MRAM,PRAM에 대하여,	페이지 39페이지 가격 900원 등록일 2005.12.22 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음