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D램과 유사한 구조지만 전하의 저장하는 기능을 살려 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성과 고속성, 고집적성을 유지한다는 것이 신기할 따름이었다.
FRAM 에 대해 조사를 하다 신문기사 , 뉴스 등을 보았다.
FRAM 이 보다 일상 속에 많이 들어와
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FRAM의 집적도가 DRAM에 비하여 떨어지는 이유는 1T-1C 구조를 기억소자에서 트랜지스터와 캐패시터가 각각의 면적을 차지하는데 기인
- FRAM에서는 별도의 면적이 필요한 이유는 공정 기술과 관계되는데 유전체 박막을 Si 기판위에 쉽게 캐패시터
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CMOS 반도체 공정에서는 400 - 450℃) 이를 해결하기 위한 플라즈마 방전을 이용한 공정 등의 연구도 진행되고 있음 1. FRAM소자
(1) 기본원리
(2) 구조
(3) FRAM 소자의 장점과 단점
2. MRAM
(1) MRAM의 기본 원리
(2) 구조
(3) MRAM의 장점과 단점
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1.강유전체 메모리(FRAM)란?
Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자.
강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메
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1. Flash Memory 의 소개
소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌 기억장치(반도체)이다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비 휘발성 메모리로, DRAM과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대
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FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV.
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