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플래시 메모리 제품을 개발하였다.
2. Flash Memory 의 구조
- NVM : Non Volatile Memory
- ROM : Read Only Memory
- OTP : One Time Programmable ROM
- EPROM : Erasable Programmable ROM
- EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
9) Nand 플래쉬 메모리에서의 Invalid Block
• Nan
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메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRAM
2) DRAM
2. ROM(Read Only Memory)
1) 마스크 롬(Mask ROM)
2) EPROM(Erasable Programmable ROM)
3) EEPROM(Electrical Erasabel Programmable ROM)
4) 플래시 메모리(FLASH Memory)
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memory를 추가함.
Large buffer 사용에따라 hard drive의 platter spinning 동작시간을 줄임.
Power consumption, improved reliability, faster boot process 장점이있음.
Solid state drives (SSD)
Nonvolatile memory (Flash)와Volatile memory (SDRAM)을이용하여 dat
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Flash Memory 라고도 한다.
- 컴퓨터 안의 BIOS가 이에 해당한다.
- 핸드폰, 디지털 카메라 등의 메모리가 이에 해당한다.
■ 차세대 메모리
PRAM (Phase Change RAM), FRAM (Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM) Ⅰ. RAM (Random Access Memory)
1. 개념
2. 필요성
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와 저전력이라는 장점이 있어서 FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기
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