• 통합검색
  • 대학레포트
  • 논문
  • 기업신용보고서
  • 취업자료
  • 파워포인트배경
  • 서식

전문지식 54건

원소의 기본 스펙 http://100.naver.com/ 6. 갈륨과 비소의 정보 http://blog.daum.net/keyoice/13257164 -서론 MOS 트랜지스터란? 트랜지스터의 발전동향 -본론 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사. 최적의 반도체 재료 선정
  • 페이지 5페이지
  • 가격 2,000원
  • 등록일 2010.07.26
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합면이 되어 있는 것이다. MOS와 동작 원리가 달라서 접합면에 생기는 공지층에 의하여 전류를 제어한다. MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도체에 집적 접합되어 있는 것
  • 페이지 25페이지
  • 가격 3,000원
  • 등록일 2011.09.05
  • 파일종류 피피티(ppt)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
1. Mos 트랜지스터란? 2. Mos 트랜지스터의 발전 동향. 본론 : 부제 - 재료 탐색 1. 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사. 1-1.Sn 1-2.Ge 1-3.Ga 1-4.As 1-5.InP 2. 결과_최적의 반도체 재료 선정
  • 페이지 5페이지
  • 가격 1,500원
  • 등록일 2010.10.06
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
일함수 qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET 동작원리 2 문턱전압 3 MOS 케패시터 4 MOS 전계효과 트렌지스터
  • 페이지 40페이지
  • 가격 3,000원
  • 등록일 2009.04.10
  • 파일종류 피피티(ppt)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사 ◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리 Ⅱ. MOS의 제조공정 Ⅲ. CMOS의 원리 Ⅳ. CMOS의 인터페이스 1. CMOS와 TTL의 interface 2. TTL과 CMOS의 interface Ⅴ. 논리계열의 특징 참고문헌
  • 페이지 4페이지
  • 가격 5,000원
  • 등록일 2009.08.29
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
top