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원소의 기본 스펙
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6. 갈륨과 비소의 정보
http://blog.daum.net/keyoice/13257164 -서론
MOS 트랜지스터란?
트랜지스터의 발전동향
-본론
후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
최적의 반도체 재료 선정
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트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합면이 되어 있는 것이다. MOS와 동작 원리가 달라서 접합면에 생기는 공지층에 의하여 전류를 제어한다.
MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도체에 집적 접합되어 있는 것
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1. Mos 트랜지스터란?
2. Mos 트랜지스터의 발전 동향.
본론
: 부제 - 재료 탐색
1. 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
1-1.Sn
1-2.Ge
1-3.Ga
1-4.As
1-5.InP
2. 결과_최적의 반도체 재료 선정
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일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET 동작원리
2 문턱전압
3 MOS 케패시터
4 MOS 전계효과 트렌지스터
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◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열의 특징
참고문헌
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