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≪ 그 림 ≫
• Na와 ND는 각각 P영역에 도핑된 억셉터 농도, N영역에 도핑된 도너 농도.
• Ni는 진성 반도체의 캐리어 농도, VT=kT/q는 열전압 1.pn접합다이오드
2.다이오드의 DC해석과 등가모델
3.다이오드의 소신호 등가회로
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다이오드 4개, 제너 다이오드 1개, 의 값을 갖는 커패시터 1개를 결정할 수 있다.
3. Transformer, Diode, Capacitor등 제품명, 제조회사명, 정격 등 표시
4. 예상되는 출력 파형 해석
4V의 DC 전압이 출력되고 0.2V의 리플을 갖을 것이다.
5. Simulation을 통한
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PN 접합의 역방향 항복 특성: PN 접합 다이오드에 큰 역방향 전압 인가 시 큰 전류 흐름.
1.3 PN 접합 다이오드의 등가 모델
(1) DC 등가모델 : PN 접합 다이오드의 비선형적인 전류-전압 특성을 근사화한 표현 (회로 해석, 설계 단순화)
이상적 등가
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다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬
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pn접합을 형성하기 때문에, 대개의 경우 DTL게이트에서의 입력 다이오드처럼 동작한다.
[개방컬렉터 TTL게이트]
Q1의 베이스-컬렉터 접합은 DTL게이트의 D1에 해당하는 또 다른 접합다이오드처럼 동작한다(그림10-5 참조). DTL게이트의 두 번째
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