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이 실험도 마찬가지로 이론치와 크게 차이가 나지 않는 결과값인 것을 알 수 있다. 또한 증폭도를 측정하여 보니 입력전압 0.82V 출력전압 15.6V로 19.02가 나온다는 것을 알 수 있었다.
결론적으로 보면 베이스 저항이 바뀐 이 회로의 동작점은 0.
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1. 여러종류의 BJT 바이어스 회로 동작을 이해한다.
2. 베이스 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
3. 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
4. 바이어스 동작점의 안정성을 이해한다.
5. Current Mirror 회로의 동작점을 이해한다.
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실험목적
1. 여러종류의 BJT 바이어스 회로 동작을 이해한다.
2. 베이스 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
3. 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
4. 바이어스 동작점의 안정성을 이해한다.
5. Current Mirror 회로의 동작점을
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입출력 파형의 왜곡
동작점이 차단점 근처로 치우친 경우
- 베이스 전류의 음(-)의 반주기 중 일부에서 BJT가 차단모드로 동작하여 컬렉터 전류가 0 이 되는 부분이 발생 -> 출력파형에 왜곡이 발생
동작점이 포화점 근처로 치우친 경우
- 베
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동작점의 측정(직류분석)
먼저 아래의 회로를 구성한 다음. 입력신호
{V}_{i}
를 가하지 않은 상태에서 트랜지스터의 각 단자의 직류 전압
{V}_{B,Q}
,
{V}_{C,Q}
및
{V}_{E,Q}
값들을 디지털멜티메터 또는 오실로스코프로 측정하여 표1에 기록한다.
이들
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.757[V]
2.5[V]
18.601[mA]
1.29[V]
1.235[V]
3.0[V]
18.779[mA]
1.776[V]
1.728[V]
결론
VCC를 증가시키면 IC가 급격히 증가하다가 어느 순간(포화영역)부터 거의 일정한 값을
유지하는 것을 확인 할수 있다. VCC = VCE + RC IC 의 관계를 통하여 VCE 와 IC 의 값을 이론적으
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동작점(바이어스)과 교류부하선 : 가능한 한 큰 전력을 얻기 위해 다음 두가지 사항을 고려하여 동작점을 결정한다.
- 동작점은 교류 부하선을 2등분한다.
- 최대 정격값 이내에서 가능한 한 바이어스 전류를 큰 값으로 한다.
③ 직류 부하선
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250 Ω인 경우의 부하선을 그렸다. 동작점의 좌표를 읽으면, 교류 입력이 0인 상태의 직류 Ic와 Vce의 값을 알 수 있게 되는데, 그림 2의 경우에는 Ic = 23 mA, Vce = 4.4 V 정도가 된다.
(3) 에미터 접지법
그림 1의 접지는 개념적으로 이해하기는 쉽지만,
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2> 테브난 등가 바이어스 회로
전압분배기 바이어스는 온도 변화에 따른 동작점의 변화가 매우 미미하여 안정화된 동작점을 제공하기 때문에 매우 널리 사용되고 있는 추세이다. 전압분배기 바이어스 회로의 동작점이 매우 안정적이라는
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실험 목적
여러 종류의 FET바이어스 회로 동작을 이해.
JFET의 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정.
공핍형 MOSFET의 Zero바이어스 회로의 동작점을 결정.
증가형 MOSFET의 Drain 궤환 바이어스 회로의 동작점을 결정.
바이어스 동작점의
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