반도체소자의 제조공정

소개글

반도체소자의 제조공정에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 단결정성장

2. 규소봉절단

3. 웨이퍼 표면연마

4. 회로설계

5. 마스크(Mask)제작

6. 산화(Oxidation)공정

7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)

8. 노광(Exposure)공정

9. 현상(Development)공정

10. 식각(Etching)공정

11. 이온주입(Ion Implantation)공정

12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정

13. 금속배선(Metallization)공정

14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)

15. 웨이퍼 절단(Sawing)

16. 칩 집착(Die Bonding)

17. 금속연결(Wire Bonding)

18. 성형(Molding)

본문내용

하고 선형적인 특성을 나타내는 것을 음성 접촉이라 한다. 정류작용은 금속과 반도체 사이의 장벽에 의해 이루어진다.- 금속화 공정에서 일어날수 있는 여러 가지 현상들 1. Junction Spiking 2. 알칼리 이온의 침투 3. 전기적 이동( electromigration ) 4. 부식
14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별 한다.
15. 웨이퍼 절단(Sawing)
웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
16. 칩 집착(Die Bonding)
낱개로 분리되어 있는 칩 중 EDS 테스트에서 양품으로 판정된 칩을 리드 프레임 위에 붙이는 공정이다.
그림3. 와이어 본딩공정
17. 금속연결(Wire Bonding)
칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.
18. 성형(Molding)
Interconnection이 끝난 자제를 금형에 넣고 gel화 시킨 에폭시 몰딩 컴파운드를 금형틀내로주입, 봉합하여 자제를 외부충격 및 접촉으로부터 보호하고 외형을 갖는 공정이다.
그림4. 몰딩공정

키워드

반도체소잡,   단결정성장,   규고봉절단,   웨이퍼 표면연마,   마스크 제작,   산화 공정