전자전기설계실험 -MOSFET(MOSFET Amplifier Circuit)

소개글

전자전기설계실험 -MOSFET(MOSFET Amplifier Circuit)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

I.Abstract.
II.Introduction
III.Materials & Methods
IV.Result
V.Discussion
VI.Conclusion

본문내용

III. Materials & Methods 
 실험도구 
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개

 실험내용 
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 변화시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
[3-1] Common-Source 증폭기의 Mid-Band Gain 값이 20dB이상이 되도록 증폭기를 설계하시오. 사전보고서를 통해 설계한 증폭기의 Gain값이 20dB 이상이 되지 못한다면 이를 해결하기 위한 방안을 고려하여 회로를 수정하시오.
[3-2] fL 및 fH값을 검증할 수 있는 방법에 대하여 고려하고 이를 통해 성능을 검증하시오.

<<그림>>


[1-2]
- VDS= 10.265V, VGS= 0.890V이므로 Saturation 영역이 맞다.
[2-1]
- 드라이기로 따뜻하게 해준다. 그러나 80도까지는 무리라고 생각한다. 그런데 그 정도 온도에서는 사람이 잡고 실험하는 것은 불가능하다 생각한다. 40도 내외에서 드라이기를 사용하거나 전기난로를 사용한다. 또는 난로 위에 온도를 잰 다음 그 위에 놓고 실험한다.
[2-1] 트랜지스터의 VGS, IDS값을 구하시오.
VGS=0.882V, IDS=2.23mA
[2-2] RS=0으로 만든 상태에서 (Ground 와 short시킴) RG1을 변화시켜 [2-1]에서 구한 VGS및 IDS와 유사한 값을 갖도록 만드시오.
RS=0으로 short 시키고 RG1=0 , V=1.89V
RG1 = 6.7*3= 20.1M
VGS=1V, IDS=2.985mA

키워드

트랜지스터 2N7000의 특성,   MOS 트랜지스터,   MOSFET의 동작원리