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BJT와 똑같다. 특징으로서는 BJT구동을 위한 전류원 IB대신 gate/source 사이의 VGS의 전압 신호를 이용한다. 그림 3.23은 BJT와 FET의 switching 작용을 나타낸다
(2)FET는 구조에 따라 JFET와 MOSFET로 대별된다.MOSFET는 다시 Depletion(감소형) 및 Enhancement(증가
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MOSFET, BJT, GTO사이 리스터의 장점을 결합한 일종의 하이브리드(hybrid) 소자이다. 즉 IGBT는, (1) MOSFET처럼 전압 제어소자이며 게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT보다 구동하기가 쉽고,
(2) BJT처럼 온드롭(on-drop)이 전류에 관계없이 낮
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중앙의 pn 접합부는 역바이어스되므로 그림(a)와 같이 공핍층이 생겨 전류가 흐르지 않으므로 차단(OFF)상태로 된다. 전원 EA의 극성을 변화시켜도 다른 2개의 pn 접합부에 공핍층이 생겨 역시 차단 상태가 된다. 그림(a)에서 캐소드 전극에 가까
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중앙의 pn 접합부는 역바이어스되므로 그림(a)와 같이 공핍층이 생겨 전류가 흐르지 않으므로 차단(OFF)상태로 된다. 전원 EA의 극성을 변화시켜도 다른 2개의 pn 접합부에 공핍층이 생겨 역시 차단 상태가 된다. 그림(a)에서 캐소드 전극에 가까
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사용하여 회로를 구성한다.
(2) 기준전압을 5V로 하여 A, B, C 부분의 파형을 측정한다.
(3) 전력회로의 입력전원을 개방한 상태에서 MOSFET에 게이트 신호를 인가하여 게이트 신호를 측정한다.
(4) 출력단에 20 (30W)의 저항부하를 연결하고 입력전원
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