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산화성이 우수한 금속분리판의 개발이 필요하다.
③ 재료의 저비용화와 장기 수명화 및 시스템의 간소화를 위해 작동온도를 650~800℃까지 낮춘 저온작동 SOFC의 고성능 셀의 개발이 필요하다.
④ 평판형 단전지의 경우 단위부피당 출력밀도가
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식각
-필요 없는 부분을 선택적으로 제거 한다는 뜻
-반도체 공정 중의 하나
반도체 공정 순서 (참고)
단결정 성장 → 규소봉 절단 → 웨이퍼 표면연마 → 회로설계
→ MASK제작 → 산화공정 → 감광액
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●에칭이란?
기판에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품이나 부식성 가스를 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 없애는 과정
●등방성에칭
일차적으로 반도체 물질들을 산화시킨 후 그 산화물을 식각하는 방법
●이방성에칭
결정
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식각, 스퍼터링등과 같은 제조공정중의 방사광으로부터 발생되기도 한다.
【5】 산화막 두께 측정하기
표에 나온 웨이퍼 색깔과 두께를 비교해서, 산화물의 두께를 결정할 수 있다. 백색광이 웨이퍼 표면에 수직으로 비춰졌을 때, 그 빛은 산
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산화막 제거
건식산화 (dry oxidation)
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 증착
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 이온주입
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 식각
표면 산화막 식각 (etch oxide)
소스 드레인 영역 플라즈마 도핑
급속 열처리 (RTA)
금속막 증착
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