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습식 식각(Wet Etching)
식각 용액(액체)에 웨이퍼를 넣어 액체-고체
화학반응에 의해 식각이 이루어지게 함.
소자의 최소선 폭이 큰 LSI 시대에 범용으로 쓰임
VLSI, ULSI 소자에는 집적도의 한계 때문에 거의 사용되지 않고 있음
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etching
having the same rate of etching in both vertical and horizontal direction
related to chemical process 1. etching parameter
에칭에서 주로 사용되는 용어들에 대한 정리
2. dry etching
dry etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 가스와 장단점 그리고 장비들을
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습식 에칭 장치에 요구되는 성능과 문제점
2. 화학과의 연계성
2.1. SiC상의 무전해 Ni-P 도금 시 에칭의 영향
2.2 에칭 폐액의 산 분리 기술
3. 기술개발 추이
3.1 기술 개발 현황
3.2 에칭 장비
3.3 에칭 공정
3.4 모델링 및 전산모
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Etching(식각)의 종류
습식 식각(Wet Etching)
Chemical을 사용하여 wafer의 표면을 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 에칭 공정, 주로 등방성 에칭
건식 식각(Dry Etching)
Chemical을 사용하지 않고 wafer 표면에의 이온 충격
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이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching) 습식에칭(review)
건식에칭
ICP- RIE 란?
ICP 원리
RIE 란?
시스템 구성
이방성 식각
ICP- RIE 의 식각 메커니즘
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