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실험제목
●목적
●실험재료
●관련이론
1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
2. 컬렉터 특성(VCE-IC)을 위한 실험회로
●실험순서
●실험데이터
<표 10.1 VCE 대 IC 측정>
<표10.1의 데이터를 이용한 에미터 공통연결에 대한
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실험 9: 정류회로와 트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
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특성) 1) 실험목적
2) 실험이론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 키르히호프의 법칙
3) 실험장치 및 기구
4) 실험방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
C. 키르히호프(Kirchhoff)의 법칙 실험
5) 실험결과
B. 다이오드 특성
C.
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특성을 살펴보고 응용되는 곳에 따라 어느 증폭기를 쓰는 것이 나은지를 살펴보는 것이 이 실험의 큰 의의라 생각이 들었는데 할 수가 없으니 아쉽다. 1. Ch17 실험 결과 데이터
(1) 실험 1 - 공동 이미터 DC 바이어스
(2) 실험 2 - 공통 이미터
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실험을 통해 알아보고, 이론과 실제 실험을 통해 비교 확인해 보았다.
실험결과, CMOS 회로의 전기적 특성을 확인하는데 크게 어려움이 없었으나, 오실로스코프 및 파형발생기의 정확한 사용법을 익혀 실험 과정의 정확도를 높여야 할 것으로
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실험에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,3,4,5,7,9,11로 가변시켜서 ID를 측정하는 실험과 ID - VDS 특성 측정하는 실험이었다.
Orcad결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때
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트랜지스터 베이스에 입력 직류 전류는 변화되고, 베이스 전류의 변화는 컬렉터 전류를 변화시키므로, 트랜지스터 전류 이득에 비례하여 입력 전류가 증폭된다.
트랜지스터 이미터 공통회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구
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BJT (Bipolar Junction Transistor)
② BJT 동작 및 바이어스
③ 이미터, 컬렉터, 베이스 전류
④ 트랜지스터의 전류 이득
⑤ 평균 컬렉터 특성
⑥ 평균 컬렉터 특성(VCE-IC)을 결정하기 위한 시험 회로 : 점 대 점 방법
① 베타(β) 측정
② VCE 대 IC
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Report
( 논리회로 실험 트랜지스터 증폭기의 기본 구조와 특성 총체적 조사분석 )
목 차
1. 진법변환문제 및 논리회로 작성
(1) 실험 1-1-1에서 구한 전류 이득 값을 이용하여 이론값을 구하고, 실험 및 앞에서 구한 계 산 결과와 비교한다.
(2) 실험
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실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
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