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소자 성능 향상을 위한 Photonic Crystal 관련 기술
광기록용
-정보저장 용량 25GB 자외선 LD 광원
-HDVD급 정보저장용 광원 등 개발
기타용도
-고부가가치의 광반도체 부품기술과 광산업체의 특성화, 집적화 구축을 위한 산업용 고품질 LD 핵심기술개
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소자.
기원: 1963년 Nelson 이 용융금속용액에서 GaAs 레이저용 과 Ge를 이용한 턴넬 다이오드용 소자 성장 성공 이후 LPE는 새로운 전자 산업용 소자의 요구에 부응하여 급성장
II. 에피택시란?
1) 에피택시(Epitaxy)
기판 웨이퍼 위에 같은 방향성
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반도체와는 캐리어의 이동도(移動度), 띠(band)구조등이 다르므로 전기적 · 광학적 성질도 크게 다름.
-발광다이오드, 반도체 레이저 등 실리콘반도체로 실현할 수 없는 각종 소자 구현
※ 에피텍시
-그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성
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에피층의 도핑은 증착중 PH3, B2H6 또는 AsH3와 같은 도펀트를 포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3.
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속도가 초크랄스키법 속도의 1/1000.
두께가 수 ㎛ 정도인 소자용 결정층의 제작에 이용
기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해짐 화합물 반도체란?
에피택시 (Epitaxy) 공정이란?
HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)
LPE (Liquid Phase Epitaxy)
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