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측정하여 1번 실험과 같이 전류대 전압의 그래프를 그린다. 각 직선의 기울기로부터 저항 , 인덕턴스 및 임피던스 을 구하고 의 위상각 를 에서 구한다.
3. R-L-C 회로
R-L-C 모두가 직렬로 연결된 그림 2.10.8의 회로에서 1번, 2번 실험의 방법대로
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저항을 직렬로 직접(커패시터를 사용하지 않고) 연결하여라. 그 연결을 노드 P라고 한다. 노드 A, E, F 그리고 P의 피크에서 피크 간 전압을 측정하고, 전압이득을 계산하시오. 이러한 차동 부하의 경우 중간점이 가상적인 교류 접지가 됨을 실험
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실험시간에 입출력 저항을 구하는 것을 빼먹어서 교수님 없이 비는 시간에 따로 실험을 하다보니 막히는 부분도 많았고 실험값도 엉터리로 나왔다. 다음 실험시간에 교수님께 다시 여쭤보고 입출력 저항을 측정하는 법을 다시 배워서 다시
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저항과의 관계를 이용)을 사용하여 의 값을 구할 수 있다.
< 실험에 대한 고찰 >
이번 실험은 여러 가지 종류의 병렬 회로망에서의 전체 저항을 DMM을 통해 직접 측정해보고, 옴의 법칙을 적용하여 계산해 보았다. 그리고 여러 가지 병렬 회
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7k[ ]
5.6k[ ]
5k[ ]
47.63k[ ]
[4]
저 항 값
R1
R2
R3
계 산 값
33k[ ]
2.7k[ ]
0.47k[ ]
측 정 값
34k[ ]
2.6k[ ]
0.47k[ ]
[5]
R1
R2
R3
RT
4.6V
0.36V
0.0064V
5.04V
4. 고 찰 및 검 토
지난 시간에 배운 옴의 법칙과 저항 측정 하는 방법으로 직렬회로 실험을 하였다. 키르히호프의
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이미터가 다이오드 시험눈금이 없다면 반도체 재료를 바로 결정할 수 없다. 1. 트랜지스터 형, 단자, 재료 결정 절차
2. 트랜지스터 실험1 결과 1
3. 트랜지스터 실험2 결과 2
4. 트랜지스터 실험3 결과 3
5. 트랜지스터 실험4 결과 4
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실험 내용
(1) BJT의 단자 연결도를 확인하라 <그림 6>
(2) 트랜지스터의 이미터 접합과 컬렉터 접합의 순방향과 역방향의 저항크기를 측정하여 기록하라.
(3) <그림 7>의 특성 측정을 위한 회로를 구성하고, 와 의 크기를 측정하여 기록하
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측정된 전류와 전압은 실효값임을 주의하라.)
(4) 전원의 전압을 0.5V씩 증가시키면서 과정(3)을 반복 측정한다.
(5) 위 실험결과로 부터 VR:I, Vc:I, V:I의 그래프를 그린다.
(6) 그래프의 기울기로 부터 최소 자승법을 이용해서 저항 R, 전기용량 C, 임
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저항이 도달함에 따라 전류를 조금만 흐르게 하거나 저항이 없어지는 상태가 생길 것으로 믿고 있었던 것이다. 온네스는 순도가 높은 수은 선재를 통하여 전류를 흘리고 온도를 내리면서 연속적으로 저항을 측정하는 실험을 하던 도중 온도
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실험
3-1 실험부품
저항 : 100Ω, 330Ω, 1KΩ, 4.7KΩ, 10KΩ
커패시터 : 1uF, 47uF, 100uF
트랜지스터 : 2N3904
3-2 실험절차 ①
1. P. 72의 그림 9-3의 회로를 구성한다.
2. 그림 9-3 회로에 대한 DC 파라미터들을 계산하고 측정하여 기록한다,
3. 입력파형과 출
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