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결과해석
트랜지스터의 Vce가 증가할수록 Ic와 전류증폭률이 증가하는 것을 알 수 있으며, Ib가 증가하면 Ic는 증가하나 전류증폭률이 감소하는 것을 볼 수 있다.
4. 결과논의 및 토의
이 실험을 하면서 몇 가지 어려운 점이 있었는데 첫 번째는
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전류를 비교해서 나오게 되어 나오는 값인 전류전달률은 실험상 0.9-1.0의 값을 가지게 되었는데 이것은 실제 이론상 값인 0.9-1.0과 일치하다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험 4. 트랜지스터 특성 I (결과 레포트)
3. 실 험 과 정
4. 실 험 결
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레포트를 작성할 때 실험 자료에 대한 그래프를 어떻게 그리는지 몰라서
고생을 했다. 실험 결과는 두 번째 VB= 6.6 [V] , IB= 0.03 [mA] 실험에서 VCE 의 측정값과 이론 값의 오차가 발생하였는데 첫 번째 , 세 번째 실험은 미세한 오차를
제외하고
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정말 화음까지 구현이 가능했으리라고 생각해 본다. 1. 목적
2. 응용범위
3. 사용소자
4. 회로도
5. 결과
1)주파수
2)반음 주파수
3)전원
4)스피커 전압
5)LED주파수
6)트랜지스터 전압
6. 분석 및 토의
7. 개선사항
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전류 값을 설정하는 데 유용한 정보를 제공한다. 전반적으로 이러한 실험적 분석은 회로 설계 및 트랜지스터 응용에 있어 토대가 되는 중요한 과정이다.
3) Bypass Capacitor와 전압 증폭률 결과
바이패스 커패시터는 전압 증폭 회로에서 중요한 역
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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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레포트를 통하여, 이론값을 배우면 늘 어떻게 쓰나 의문점이 들었는데, 이것을 잘 해소 할 수 있는 좋은 기회였다. 그리고 나의 부족한 부분이 무엇 인지를 알 수 있는 좋은 기회가 되었다. ●목적
●A급 증폭기
●이론값
●시뮬레이
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결과로서 얻어진 결론과 전체 report의 간단한 정리를 한다
이번 실험을 간단히 요약해 본다면,
3가지 유형의 바이어스에 대한 실험을 하는 것이였는데
첫번째가 베타값을 구해야하는 베타 결정에 대한 실험
그리고 두번째가 예비레포트에서
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물리학
① 3 극 진공관 : 증폭, 발진(LC 진동) , 검파작용, 변조작용(AM,FM)
진공관의 plate 는 트랜지스터의 콜랙터(C) 에 해당.
G 는 전자의 흐름 조절
P 형 반도체( O 생김): 4가, Ge, Si 에 3가의 Al, Ga 소량 첨가.
N 형 반도체( + 생김): 4가, Ge, Si 에 5 가의
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파형의 주기가 T=1/60sec =16.7msec 임을 비교한다.
일반물리학실험레포트
-오실로스코프의 사용법- [1] 실 험 값
(2) 계산 및 결과없음.
(3) 결 론
(4) 토 의
오실로스코프의 사용법
1.목 적
2. 장치 및 기구
3. 이 론
4. 실험방법
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