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전압원을 제외한 다른 전압원은 없다고 가정한 후, 값을 구하고 전원의 개수만큼 반복한 후 결과값을 더하면 특정점에서의 전류와 전압을 구하였습니다.
<표 11-1>의 측정값은 각 저항을 가지고 저항을 측정하여 측정값이 위와 같이 나왔
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진공중에서 고전압에 의하여 가속된 초고속의 전자(Electron)를 만들어 음극(Target)에 충돌 시키면 발생한다.이때 전자의 운동에너지의 대부분은 열로 변환되며, X선(X-Rays)의 에너지로 변환되는 비율은 다음식과 같이 일반적으로 0.1% 정도로 아주
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전압레벨 사이의 차가 각각 low level 및 high level에서의 잡음여유가 된다. 따라서, TTL에서 저전압 레벨 잡음여유는
Vil,max - Vol,max = 0.8 - 0.4 = 0.4V
가 되며, 마찬가지로 고전압 레벨 잡음여유는
Voh,min - Vih,min = 2.4 - 2.0 = 0.4V
가 된다.
TTL소자에 비하
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전압원의 내부 저항의 크기는 작으면 작을수록 좋다. 그 이유는 중첩의 원리를 적용할 때 전압원은 단락으로 보는데 이는 전압원의 내부저항이 0과 같다고 근사시키기 때문에 그런 것이므로 내부저항이 작으면 작을수록 좋다고 볼 수 있겠다.
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전압 강하이면 (-)부호를 붙여 이들 총합을 확인해 보면 0이 된다.
- 위 회로의 합성저항은 6Ω이고 공급되는 전압은 6V이므로 옴의 법칙을 이용하면 흐르는 전류는 1A 라는 것을 알 수 있다. 이곳에 KVL을 적용해보자. 전압원 V에서는 6V 만큼의 전
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고전압이 트랜지스터에 가해지게 되어 이로인하여 고장이 난 것으로 판단하였다. 다음으로는 오실로스코프를 통한 파형측정의 부분인데 여기서 사인파의 개형이 얇고 깔끔한 곡선이 아닌 약간 폭이 넓은 형태로 나타나게 되었는데 이것은
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전압원 실험과 마찬가지로 직렬회로이므로 각 소자들에 흐르는 전류는 같다. 때문에 저항이 큰 곳에 큰 전압이 걸렸고, 그래프에 표시된 전압들은 이들의 크기를 알기 쉽게 표현한 것이다.
3) 각 루프에 대한 KVL 식을 세워라.
a.
b.
4) 3)에서
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고전압을 저전압으로 변성하여 배전반의 측정계기나 보호계전기의 전원공급을
하기 위한 변성기
→ PT의 결선
3상 3선식 : V 결선
3상 4선식 : Y 결선
(2) 계기용 변류기 (CT)
고압회로에 흐르는 대전류를 소전류로 변성하여 배전반의 측정계기나
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전압을 갖는 성질이 더해져서 제너 다이오드는 회로를 보호하는 정전압회로에 사용하고 있다.
실험 5) = , 공식을 이용하여 10 ㎃의 전류가 흐를때에 저항을 계산하여 회로를 구성하였다. 전압원이 12V의 DC로 공급 되는 경우 앞의 실험 1에서 측
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전압의 그래프 영역을 마우스로 클릭한 상태에서 드래그하여 직사각형으로 나타나도록 선택하여라.
3) Graph display에 내장된 분석 도구를 이용하여 ‘최대치의 반’이 되는 시간을 찾아라.
3. 실험결과
4.고찰
DC전압원이 충전되지 않은 축전기
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