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회로도는 직렬연결이고 가변저항의 크기에 따라 각각 전압강하가 일어난 것을 확인 할 수 있었고 가변저항을 통해서 강하되는 전압의 크기를 전자회로시간에 배운 전압분배법칙을 이용하여 조절 할 수 있었다.
<실험 3> 휘스톤브리지 회
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3. 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬회로
4. 키르히호프의 법칙
5. 오실로스코프의 사용법
6. 캐패시터의 특성 및 RC 직렬회로
7. 파형의 미분과 적분
8. 인덕터의 특성
9. 인덕터의 직/병렬연결 및 RL직렬회로
10. RL 및 RC병렬회로
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실험이었다.
수업 시간에 배웠던 내용을 실험을 통해 쉽게 이해할 수 있었다.
컬렉터 쪽에 전류와 전압을 측정하여 오실로스코프로 파형을 볼 수 없어서 값들을 그래프로 그려 볼 수 있었다.
책과 같이 그래프가 곡선으로 잘 나오지는 않았지
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실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시
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실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
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회로를 구성한다. 6번 핀에서 DC출력 전압을 측정하여 결과를 기록한다. 두 번째와 세 번째 연산 증폭기에 대해서도 동일하게 실험한다.
2. 입력 옵셋 전압을 구하여 기록한다.
3. 회로에 5kΩ 가변 저항기를 연결한다. 오실로스코프를 써서 출력
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회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3. 음성 신호 발생기를 1000Hz에서 최소 출력으로 조절한 후, 증폭기의 입력 단자에 연결한다. 오실로스코프의 수직 입
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실험 과정 - 소스 공통 증폭기>
7. 오른쪽 회로를 접속한다. VDD를 +15V로 조정한다. 정현파 발생기의 출력을 1000Hz에서 최소로 조정한다.
8. 오실로스코프로 출력 신호 Vout을 모니터한다. 이때 일그러짐 없는 최대 출력 신호가 얻어질 때까지 입
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회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파정류기에서 여러 정류기를 써보았는데 대체적으로 오차율이 적고 정류되는 파형도 잘나와서 만족스러운 실험이 되었다.
이번 실험을 하면서 궁금한 것이 생겼는데 오실로스코프에서
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실험:
다양한 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 사용한다. 주어진 주파수에서 Xc 값을 측정하고, 커패시턴스와 Xc 간의 관계를 분석한다.
4. 시정수 측정 실험:
회로에 연결된 커패시터의 시정수를 측정한다. 이를 위해 오실로스코프와 다른 필
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