|
증폭기의 경우 출력이 반대로 나오므로 =-7.22이다.
이미터 접지 증폭기에서 입력 저항을 측정하기 위해 을 이용하였는데 따라서 , 이다. 므로 =-7.225.103=-36.84가 나온다.
3) 실험 회로 12-1의 회로에서 커패시터 , , 에 대응하는 극점 주파수 , , 를
|
|
|
회로에서 출력 파형의 왜곡에 따른 포화 상태의 도달에 대해서 알 수 있는 실험이였다. 실험이 대체적으로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비슷하게 나와 실험을 순조롭게 진행할 수 있었다.
3. 결론 이미터 접지 증폭기에 대해 실험을 해보고 트랜지
|
|
|
증폭기는 에서 알 수 있듯이 전압이득이 저항의 비에 +1을 해줌으로써 1:2의 저항 비에서도 3배 가까이 증폭되는 것을 확인 할 수 있다.
Op amp 는 전자회로 시간에 다룬 내용이었지만, 수업을 제대로 안 들었는지 익숙하지 않았다. 마지막 실험
|
|
|
증폭기는 B급으로 동작하였지만 입력 파형과 출력 파형이 동일하다.
이유는 정의 반주기동안 Q1이 양의 파형을 양의 파형을 출력하고 부의 반주기 동안에는 충전된 캐패시터가 음의 파형을 출력하기 때문이다.
이번 실험을 통해 직류전압만
|
|
|
실험은 공통 컬렉터 증폭기이다.
여기서는 크게 이론치와 측정치가 크게 다를 바 없음을 볼 수 있다. 한가지 주목할 사항은 그 전압이득이 약1이라는 것이다. 하지만 이 실험으로 제대로 공통 컬렉터 증폭기의 특성을 알 아 볼 수는 없다. 왜냐
|
|
|
증폭기에 대한 실험이었다. 저항을 부하로 사용하는 공통 소스 증폭기도 있지만, 우리는 전류 소스를 부하로 사용한 증폭기에 대한 실험만 임하였다.
- 실험 순서 1)은 공통 소스 증폭기 회로를 구성하는 것이었다. 회로를 구성한 후 값을 측
|
|
|
증폭기에서 슬루율은 무엇을 제한하는가?
(a) 입력임피던스(b) 동상신호제거비(c) 전압이득(d) 주파수응답
⇒ 연산증폭기에서 슬루율을 측정할시 증폭기의 폐회로이득이 1인상태에서 측정해야 하므로 결국 전압이득을 제한하는 것이다.
5. 그림
|
|
|
증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은 어떻게 변
|
|
|
회로가 되고 Loading effect가 발생하지 않게 되어 발생할 수 있는 최대 전압이득을 유도할 수 있다. 위에서도 실험을 통해 분석해 본 것과 같이 RL값이 더 커지게 되면 컬렉터 저항의 합성저항은 커지게 되므로 전체 전압이득(Av)는 증가하게 된다.
|
|
|
실험 16장에 대한 복습문제
1. 그림 16-1의 회로에서 공통베이스 증폭기의 전압이득은 대략 얼마인가?
(a) 1 (b) 17 (c) 34 (d) 50
⇒ 이 공통 베이스 증폭기에서의 전압이득(Av)는 다음과 같다.
Av=Vout/Vin=[ic×(RC||RL)]/[ie×r'e]=(RC||RL)/r'e=(1kΩ||1kΩ)/30.12Ω=16.6
|
|
메뉴펼치기
