|
정확한 값을 알기 힘들었음.
소감
전류원이 없어서 등가회로를 구성해 보지 못해서 결과적으로 노튼의 정리를 입증하지 못했음.
과 같은 값인 를 Load로 연결했을 때 전력이 더 높다는 것을 확인 가능함. 이론
실험방법
결과값
계산과정
|
|
|
A
1.55mA
0.007mA
1.117mA
1.11mA
1.11mA
1.11mA
0.007ma
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0
0.658mA
0.66mA
0.66mA
0.66mA
0.002mA
<표 1 이론값과 측정값 비교>
5. 결론
▶ 실험에 사용 된 회로는 옴의 법칙, 테브난 정리, 노오튼 정리를 통해 모두 부하에 흐르는 전류를 구할 수
|
|
|
회로에서 I를 측정할 수 있으며, 만일 원 회로망에서 측정된 RL 의 IL 이 테브냉 등가회로에서 측정된 전류 I와 같다면 테브냉의 정리는 검증된 것이다.
3.시뮬레이션
테브난 정리:
개방된 두단자 a,b로부터 임의의 회로망을 들여다 본 임피던스
|
|
|
턴의 정리는 전류원 하나와 병렬로 연결된 저항 1개로 대치시켜
복잡한 회로를 간략화 시키는 방법과 부하저항 값이 넓은 범위에 걸쳐 변화하는 경우 부하
전류를 구하는데 유용하게 이용할수 있고, 테브닌 정리는 선형, 2단자 회로망을 전압
|
|
|
회로를 이용하여 Isc의 이론값을 구하면
Isc = Rth/Voc = 0.571mA 이고, 실험값은 다음과 같다.
실험값
Isc = (0.593-0.007)mA = 0.586mA
이론값
실험값
오차
Isc(mA)
0.571
0.586
2.62%
20kΩ
5kΩ
◎ 실험2. (변경 10kΩ->20kΩ)
20kΩ
10V
테브난의 정리를 이용하여 Voc를
|
|
|
이론값과 측정값 모두 3.5Ω의 동일한 결과가 나타났다.
다음으로 테브낭의 등가 전압을 구하는 실험을 하였다. 회로에서는 전류원과 전압원이 모두 있기 때문에 중첩의 정리를 사용해야만 테브낭의 등가 전압을 구할 수 있다. 중첩의 정리는
|
|
|
회로도를 설계하여 전압원과 전류원의 등가회로를 구한다.
2. 실험용 기기 및 부품
1) 디지털 멀티미터
2) 브레드보드
3) 전원공급장치
4) 저항 100Ω, 200Ω, 470Ω
5) 저항 1kΩ, 2kΩ, 3kΩ, 4kΩ
6) 연결선(jump wire)
3. 이론
1) 테브난정리와 노
|
|
|
정리 성립 여부를 표 1에 기재.
5. 실험 결과
실험단계
구분
측정값
계산값
이론값과 측정값의 일치여부
원회로
중첩의 정리 이용
②, ⑩, ⑪
V1
4.40[V]
4.47[V]
거의 일치
V2
7.67[V]
7.59[V]
V3
-1.34[V]
-1.36[V]
③, ⑫, ⑬
I1
2.00[㎃]
2.01[㎃]
거의 일치
I2
2.18[
|
|
|
시 직렬연결임을 이용하여 그 값을 측정하였다. 이번 실험을 통해 이론만으로 알고 있던 테브난 정리와 노튼 정리를 직접 회로에 적용할 수 있었고 이 뿐만 아니라 전압 분배의 법칙, 전류 분배의 법칙도 실험을 통해 확인할 수 있었다.
|
|
|
회로망 중의 임의의 폐회로 내에서 일주 방향에 따른 전압강하의 합은 기전력의 합과 같다.Σ기전력=Σ전압강하 E1 -E2 =R1 I1 -R2 I2
(6) 회로망 정리 [맨위로]
[1] 중첩의 원리
① 중첩의 원리 : 2개 이상의 기전력을 포함한 회로망 중의 어떤 점의 전
|
|
메뉴펼치기
