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에칭에서 주로 사용되는 용어들에 대한 정리
2. dry etching
dry etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 가스와 장단점 그리고 장비들을 보기 쉽게 정리
3. wet etching
wet etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 용액과 장단점 그리고 장비들을 보기 쉽
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에칭의 가장 큰 단점인, 마스크 아래가 에칭 되는, 언더컷(undercut)을 유발하는 것으로서, 에칭 모형의 분해능 저하를 일으키는 한 원인인 것이다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해 개발된 기술이 건식에칭이다.
건식에칭은 wafer 표면에의 이온
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건식에칭가공 : 에칭은 원하는 부분만 선택적으로 깎는 것으로 수용액 속에서 진행하는 습식 에칭과 플라즈마 안에서 진행하는 건식에칭이 있다. 미세한 패턴을 구현하기 위해서는 마스크의 형상을 그대로 살릴 수 있는 건식에칭이 필수적이
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이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching) 습식에칭(review)
건식에칭
ICP- RIE 란?
ICP 원리
RIE 란?
시스템 구성
이방성 식각
ICP- RIE 의 식각 메커니즘
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Etching(식각)의 종류
습식 식각(Wet Etching)
Chemical을 사용하여 wafer의 표면을 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 에칭 공정, 주로 등방성 에칭
건식 식각(Dry Etching)
Chemical을 사용하지 않고 wafer 표면에의 이온 충격
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