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실험에 쓰인 휘트스톤 브릿지의 회로가 아닌 다른 회로에는 어떤 종류가 있는가? 만약 있다면 그 회로를 그려보시오
7.토의
이번 실험은 키르히호프의 법칙과 휘트스톤 브릿지에 대한 실험을 함으로써 이론적 지식을 확인하는 것이었다. 실
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회로도 및 결과
실험 1) NE555 응용회로의 동작 이해
① NE555 Timer 회로를 구성하시오.
② 555 Timer의 출력에서 나오는 구형파의 주파수를 측정하시오.
※ 주파수 구하는 공식
※ R1 = 5K옴, R2 = 5K옴, C1 = 10uF 일 때 f = 9.6Hz
③ 555 Timer의 출력에서 나오는
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회로의 공명주파수에서 발진한다,
1
ω = ───── (1)
√LC
저항성회로
저항성회로는 저항을 주요 구성성분으로 하는 회로이다. 이 실험에서는 저항에만 전압 V = Vmaxsin(ωt)을 가한다. 저항을 통과하는 전류 I는
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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주파수가 큰) 정현파 또는 구형파, 삼각파 등을 측정하여서 오실로스코프의 시간 단위가 ms 나 단위로 측정되었는데 이번 실험은 시간단위가 초단위로 측정을 해야 했기 때문에 Time Div 레버를 이용하여 측정 시간을 길게 하였다. 회로를 구성
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실험결과*
A
B
C
Y1
Y2
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
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0
1
1
1
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1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
실험 3. 오픈컬렉터와 3상태 버퍼/인버터 예비 레포트
[목적]
1. 오픈 컬렉터 게이트의 특성을 이해한다.
2. 와이어드 AND 및 와이어드 OR 회로를 익힌다.
3. 3-상태 TTL
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실험 2-1의 5에서 그래프로 얻은 문턱전압과 비교하라.
VO (컴퓨터) = 0.637 V
그래프로부터의 문턱전압 : 약 0.55 V
8. 고찰
지난시간에 배운 다이오드 소자의 특성을 직병렬 회로에 직접 적용하여 그 특성을 확인하였다. 직렬연결 시 다이오드는 각
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실험은 NMOS 증폭기에 대한 실험이었다.
NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 특성에 대한 입,출력 전압 파형 측정 및 입력 저항과 출력 저항을
측정 하는 실험 이었다.
실험 할 당시에 회로를 꾸미고
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실험 2. 에서는 I가 증가함에 따라서 V와 , , 모두 증가하지 않을까? 합니다.
실험 3. 에서는 I가 증가함에 따라서 역시 V와 , 모두 증가하지 않을까? 합니다.
구상
-교류회로를 사용하여 직류회로와의 차이를 확인하는 실험입니다.
측정해야 할 값
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실험자가 실수 하였을 과실적 오차, 측정 조건의 변동, 측정자의 주의력 동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
무엇보다 FET의 여러 가지 Bias 회로에 대해서 알 수 있었고, 각 Bias 마다 전압의 특성, FET의 용도에 대해 명확히 알 수 있었다
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