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다하도록 노력하여야 합니다. 그리고 후반부의 Printed Electronics를 통해서는 반도체 제작 기술에 있어 학기 초에 강연 되었던 나노 임프린트 리소그래피외에도 인쇄 기술을 이용한 반도체 제작이 가능함을 알게 되는 기회가 되었습니다.
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리소그래피와 나노임프린트 리소그래피를 결합한 리소그래피 방법, 주식회사 하이닉스반도체, 2007
성준경, 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법, 주식회사 동부하이텍 , 2007
<논문>
J. K. Jeong et al., “Origin of threshold voltage instability in indium-galli
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지스트를 임프린트하기 위해서는 고압 (10-30 bar 정도)이 필요하기 때문에 기 제작된 하단의 나노 구조물을 파손시킬 소지가 있고, 불투명한 스탬프는 다층화 정렬작업에 불리하게 작용한다. 이에 반하여, UV-NIL은 1996년 Haisma 등[3]에 의하여 최
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발전되어 ‘나노’ 강국이 되었으면 하는 바람을 가져 본다.
<< 관련 그림 >>
그림 4. UV-NIL 작업 공정 그림 5. multi-dispensing 공정 그림 6. multi-dispensing 공정 결과
그림 1. 탄소나노 튜브 그림 2. 연잎 효과 그림 3. 나노 로봇
<< 참고 자
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aperture) : 방사되는 전자의 통로 전자빔 노광기술이란?
전자빔 노광기술 시스템 구성
전자빔 노광 기술의 장단점
임프린트란?
임프린트 공정
나노 임프린트
(a) Thermal-type(NIL)
(b) UV-NIL
임프린트 기술의 장단점
질의 및 응답
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
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Nano-patterning with Immersion Holographic Lithography Technique" , Yonsei Univ. , 2004
7. Eugene Hecht, OPTICS, Addison-Wesley, 2001, pp.476-479. Ⅰ. 서 론
1. 연구 배경
2. 연구 목적
Ⅱ. 홀로그래픽 리소그래피 시스템을 이용한 나노 패턴 제작
1. 홀로그래픽 리소그
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제조기술 11
2.2.2.2 LED 광원(전구) 제조기술 12
2.2.2.3 LED 구동회로 제작기술 16
2.2.2.4 LED 응용분야 21
2.2.3 LED 시장 동향 24
2.2.3.1 국내시장 24
2.2.3.2 해외시장 25
2.2.3.3 기업동향 26
2.3 LED의 발전가능성 29
제 3 장 결 론 31
參考文獻
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반도체 제작에 필수적인 각종 공정방법에 대해서 배웠습니다. 또한 발표 및 토론수업을 통하여 미래의 기술과 탄소튜브를 이용한 나노센서에 대해서 발표를 하였습니다. 과목을 수강하면서 웨이퍼의 공정과정 및 Lithography 기술에 대해서 공
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나노플레이크가 활발하게 성장하도록 설정했습니다. 일련의 과정을 설계하기 위해 적합한 공정을 선택하고, 직접 수업을 진행하며 반도체 공정을 체득할 수 있었습니다. 프로젝트에 그치지 않고, 주 1회씩 팀원들과 케이스 스터디를 지속하
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반도체 공정실습에서는 Inductor역할을 하는 웨이퍼를 제작하였습니다. 이 과정에서 노광,식각,증착 등 여러 공정을 직접 진행해보면서 반도체 공정에 대한 이해를 높였습니다. 식각 공정에서는 ICP-RIE를 사용하여서 Etch를 진행하였고 장비에서
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나노와이어 기반의 위상 초전도 소자를 제작하고, 양자 비트(Qubit)로서의 가능성을 평가합니다.
차세대 전자소자로의 응용 가능성 평가
- 위상 절연체 기반의 스핀트로닉스 소자를 제작하고, 기존 반도체 소자와의 성능 비교를 수행합니다.
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