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설계 목적
1. 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
2. 주입량 변화에 따라,Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.
설계 조건
기판 고정값
Environment Title nMOSFET
substrate dopant
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도핑된 접합
불균일한 도핑 분포를 이용하여 특별한 pn접합 커패시턴스의 특성을 알아보자.
4.1 선형적으로 경사진 도핑을 갖는 접합
금속학적 접합 근처의 순수 p형 도핑농도는 금속학적 접합으로부터 거리의 선형함수로써 근사시킬 수 있다.
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도핑농도가 낮은 것으로 간주했으나 p쪽의 농도가 낮을 때도 동일한 방법을 적용할 수 있다. 식(6.63)은 대단히 재미있는 결과를 보여준다. 회로상에서 계단접합의 캐패시턴스와 인가전압을 측정하면 식(6.63)에 대한 그래프를 그릴 수가 있다.
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도핑된 (특히 금속과의 계면에 도핑농도가 높다) n-type 반도체의 경우에는 금속의 일함수보다 n-type 반도체의 일함수가 큰 경우에 ohmic contact(I-V 특성이 선형), 반대의 경우에 Schottky contact을 나타낸다. 억셉터가 도핑된 p-type 반도체의 경우에는
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도핑농도에 따라 변화하는데
균일하게 도핑된 직사각형 블록이라면 저항률은 위와 같다.
3) 결과보고서 1에서 제작한 저항을 통해 제작 가능한 히터의 원리를 설명하시오.
시즈 히터
1번 결과와 사진의 의해 길이가 길어 질수록 저항값이 커
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HP4145로 IV 추출, w/f-Ids 그래프에서 edge의 spec over을 발견했습니다. Ids와 tox가 반비례하므로 edge에서 tox가 작음을 유추했습니다. 온도, 도핑농도가 확산계수와 비례하므로 gate oxide공정에서 edge온도와 도핑농도가 center보다 낮은 것이 원인임을 파
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