|
도를 참조하여 아래 회로를 구성한다. 7404, 7408, 7432의 7번 핀은 접지하며, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. A와 B에 입력을 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라.
B
A
X
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
시뮬레이션
회로
결과
7400 IC 핀 배치도를 참
|
|
|
회로 구성을 바꾸어서 어떤 상황 아래에서만 빨리 동작하도록 만들었기 때문이다. 말하자면 메인보드에 캐시메모리를 사용하는 것과 동일하다.
RDRAM(Rambus DRAM) RDRAM은 램버스사에서 개발한 새로운 형태의 DRAM으로서 1바이트당 2ns의 빠른 버스
|
|
|
회로의 속도를 향상시킨 것이다. 따라서 carry의 계산 속도 개선이 전체 덧셈회로의 속도 개선과 직결된다. 디지털 회로에서 중요한 위치를 차지하고 있는 덧셈 회로의 속도 개선을 위해 여러 carry 계산 방법들이 제안되었다. 1. 실험 결과
|
|
|
참고 자료
논리회로실험 (정용진·이원석·신평호) 생능출판사
전자공학의 기초 (이영근 저) - 광림사; 601-620p. 미적분 회로
1. 목적
2. 참고 사항
3. 참고 자료
RC 발진기/ Wien 브릿지 발진기
1. 목적
2. 참고 사항
3. 참고 자료
|
|
|
하는 듯 하지만 육안으로는 500hz를 인식 할 수 없기에 동시에 발광하는 것처럼 표시가 되었다. 촬영에 사용된 카메라도 기본 노출 시간이 1/500sec보다 느려서 모두 불이 들어와 있는 것처럼 촬영되었다. 1. 실험 내용
2. 실험 결과
|
|
|
논리를 수행하는 기능으로 사용할 수 있게 한다.
TTL의 2입력 NAND 게이트를 결선하면 와이어드 AND가 되지 않는다. 토템 폴(totem-pole) TR는 포화되었을 때에 이미터 플로어(emitter follo -wer)로 동작하여 출력을 높은 전압으로 끌어올리므로 스위칭 속
|
|
|
실험의 가장 큰 특징이었다. std_logic_vector구문으로 여러비트 신호를 선언 할 수 있는데 0 to 3이나 3 downto 0의 두가지 방법으로 4비트를 지정 해 줄 수 있었다. downto를 일반적으로 더 자주 사용한다는 조교님의 설명에 따라 3 downto 0를 이용해 신호
|
|
|
실험1. 부울대수와 논리식의 간소화
실험2. DeMorgan's Theorem
실험3. CMOS 와 TTL NAND/NOR 게이트 정의와 동작
실험4. Exclusive-OR와 응용
실험5. Integrated-Circuit Timers
실험6. Bistable or flip-flop
실험7. Altera MAX_PLUS program 및 FPGA 사용설명 NAND/NOR 게이트를 이
|
|
|
실험 결과
실험 전제)
1> 주파수 발생기로 P-P 5V의 톱니 파형을 입력신호로 하였다.
2> HI 입력은 DC로 5V를 입력신호로 하였다.
3> 출력 CHECK는 오실로스코프와 디지탈 멀티미터를 이용하였다.
4> 회로의 구성은 Simulation의 회로와 같은 형
|
|
|
실험 결과 (시뮬레이션)
PSpice 모의실험 - CH.5 FET 바이어스 회로 및 FET증폭기
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결
|
|
메뉴펼치기
