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정 두가지 방법에 대해 알게 되었고, 그중 우리가 실험한 4-Point probe method방법에대해 더 자세히 알게 되었다, 조사를 통해, 면저항의 정의가 얇은 막의 저항 값을 특징짓는 지표로, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시 된다는 것을 조사
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실험 결과 시편 크기 (cm) 전압(mV) 두께 전류(mA) IGO 1×3 422.9 300nm 100 실리콘 1×1 4.281 1mm 100 ITO 1×1 229.5 200nm 100 4-point probe방법 4.실험 방법 실험 A. 1. 휴대용 4 point probe를 이용하여 금속과 반도체의 면저항을 측정한다. 2. 금속과 반도체의 전기적
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실험 목적 2. 실험 관련 이론 ▒ 스퍼터링 ▒ ITO ▒ 면저항 측정기 ▒ 분광계 분광계의 사용 용도 4. 실험결과 1) 면저항 측정 2) 투과도 측정 5. 결과에 대한 고찰 1) 면저항 측정 2) 투과도 측정
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3. 실험결과 박막의 종류 박막의 두께 시편의 크기 측정 전류 측정 전압 측정 면저항 계산 면저항(이론값) 2조 IZTO(n-type) 340nm 1.5*1.5 100mA 275.8mV 12.38 12.1 4 point probe의 보정계수는 4.53이고 전류범위는 auto로 설정해 놨는데 이때 전류의 범위를 잘못
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  • 등록일 2014.06.05
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정 두가지 방법에 대해 알게 되었고, 그중 우리가 실험한 4-Point probe method방법에대해 더 자세히 알게 되었다, 조사를 통해, 면저항의 정의가 얇은 막의 저항 값을 특징짓는 지표로, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시 된다는 것을 조사
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  • 등록일 2013.07.05
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