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값을 얻는 것은 불가능했다. 추와 추 걸이의 질량은 정확하게 측정했으나, DS를 통해 얻어진 가속도 값의 부정확함이 커다란 오차의 원인이라 생각된다. 실제 그래프에 나타나있듯이, 일정해야할 가속도가 들쭉날쭉하게 나타나며, 실상 어떤
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결과를 보면 45도일 때가 60도일 때보다 속도가 크다는 사실을 알 수 있다. 실제로 45도로 물체를 던졌을 때 가장 멀리 날아간다. 중력의 방향과 던지는 방향을 합성하면 45도가 나오기 때문에 가장 멀리 날아간다. 수평 방향으로는 공기저항을
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같이 증가함에 따라 증가함을 알아볼 수 있었다. 또 이 감소함에 따라서 전압이득이 감소함을 알 수 있는데, 이는 = 으로 의 감소로 인해 값이 작아지고 전압이득은 이기 때문에 전압이득이 감소하였다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
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[ERROR : 10731] 오류 발생.
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6
16.46
16.49
16.53
16.62
16.35
13
23.07
22.22
21.32
20.41
19.65
19.77
19.79
19.83
19.91
19.89
15
26.40
25.58
24.69
23.79
23.03
23.05
23.05
23.14
23.21
23.27
<공핍형 MOSFET의 드레인 특성 실험결과표>
(2) 고찰
1) JFET 바이어스와 BJT 바이어스의 차이점을 설명하라.
JFET 바이어스
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5. 중첩 원리
6. Thevenin / Norton 회로와 DC 전원장치
설계문제 계산값, pspice값을 계산 비교 및 증명 5. 중첩 원리
6. Thevenin / Norton 회로와 DC 전원장치
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논리회로의 기초및 응용
Boolean 대수와 논리식 간략화
측정문제 논리회로의 기초및 응용
Boolean 대수와 논리식 간략화
측정문제
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관련 이론, 시뮬레이션 결과, 실험방법 및 유의사항 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 5
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아날로그 3장 브리지 회로와 ? ????? 등가회로 변환, 측정문제 및 해설
아날로그 4장 노드전압 및 망전류 회로해석 방법, 측정문제 및 해설 아날로그 3장 브리지 회로와 ? ????? 등가회로 변환, 측정문제 및 해설
아날로그 4장 노드전압 및 망
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수 있듯이 VDS는 거의 영향을 주지 못했고 단일 선으로 대체 가능하다. 곡선의 형태를 예상했지만, 그림 16-4.를 보면 알 수 있듯이 직선의 형태를 띄고 있다. 이것은 VGS의 측정범위가 제한적이었기 때문이다. 다시 말해서, VP값 이상을 취할 수
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