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다이오드 등가회로 요약
다이오드 규격표
FIGURE 1-36 (part 1 of 2) Terminal characteristics of a high-voltage diode.
FIGURE 1-36 (part 2 of 3) Terminal characteristics of a high-voltage diode.
전이/확산 캐패시턴스
역방향회복시간
반도체 다이오드의 기호
제너(Zener)
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결정의 질을 좌우하는 가장 중요한 인자로는 원료 낙하량, melt의 형상과 안정도, 결정 지지대의 하강속도와 결정성장 속도와의 균형, 화염의 형태 및 온도분포 등이 있다. 이러한 인자들은 성장 물질이나 각각의 성장환경에 따라 그 상관관계
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반도체의 특징은 비휘발성이며, 데이터의 처리속도가 빠르다는 것이다. 그 이유는 P램이나 F램, M램 등의 셀을 구성하는 물질의 특성으로 인해 전극이나 자기장이 없더라도 그 성질을 그대로 유지하기 때문이다.
P램은 전류를 끊더라도 결정
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저항 소자의 용도로 사용된다.
쇼클리 다이오드(Shockley diode)
쇼클리 다이오드는 양극과 음극을 가지는 2단자 사이리스터(thyristor)로서 pnpn구조를 가지는 4층의 반도체로 이루어져 있다.
음극에 대하여 정의 바이어스 전압이 양극에 인가될 때, Q
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물질이 고유의 특정 파장보다 짧은 파장을 가진 (따라서 높은 에너지를 가진) 전자기파를 흡수했을때 전자를 내보내는 현상이다. 이때 그 특정 파장을 한계 파장이라 하며, 그때의 진동수를 한계 진동수라고 한다. 그리고 그 한계 진동수에 플
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저항기(potensiometer)
12 LVDT(Linear Variable Differential Transformer)
13 LVDT의 구조
14 LVDT 의 응용분야
15 기타 변위 검출용 센서
16 스트레인 게이지
17 스트레인 게이지 기본형태
18 스트레인 게이지의 적용
19 스트레인 측정
20 로드셀
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Emitter보다 농도가 작게 도핑 되어 실제 시판 되고 있다.
BJT 구조에서 Emitter와 Collector는 같은 물질의 반도체로 구성되어 있으나 그 부피나 농도는 다르게 제작 되어진다.
3. 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과
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저항이 낮을 뿐만 아니라 산화 환원반응이 가능함으로 고분자 밧데리의 전극으로 사용이 가능하다. 공액2중결합형고분자는 n 또는 p형의 반도체로 구분되며 발광다이오드와 레이저의 발광재료로서 사용될 수 있다. 또한 자외선 및 가시광선
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반도체
2) 다결정 실리콘 반도체
3) 비정질 실리콘(Si) 반도체
4) 화합물(compound) 반도체
5) 유무기 혼합 또는 순수 유기 태양전지
5. 태양전지의 특성
1) 단락전류(short circuit current, Isc)
2) 개방전압 (open circuit voltage, Voc)
3) 직렬저항 (series resist
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저항형, 그리고 열전대형 적외선 센서 또는 어레이를 실리콘 판독 회로위에 MEMS 기술을 활용하여 monolithic으로 제조하고 이를 적외선 영상센서로 상요하기 위한 방향을 진행되고 있는 것이 세계적인 추세다. 이미 기술적으로 크게 안정화가 이
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