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1. N-type과 P-type 접합에서(N-P 접합)에서 Energy band diagram, Space charge profile, Electric field, Potential에 대한 모식도를 그리고 Electric field, Potential식을 유도하시오(30점)
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기말고사 > 9/1 화면 다루기
9/2 워크시트와 셀 다루기
10/1 데이터 다루기(1)
10/2 데이터 다루기(2)
11/1 인쇄하기와 수식 만들기
11/2 주소지정하기
12/1 기본함수 다루기
12/2 실무함수 다루기
13/1 그리기도구 다루기
13/2 창
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포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3. 이온주입
4. 리소그래피
5. 박막증착
6. 에피택시
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Chapter 1
Visualization of the Silicon Crystal
1.1
(a) Please refer to Figure 1-2. The 8 corner atoms are shared by 8 unit cells and therefore contribute 1 atom. Similarly, the 6 face atoms are each shared by 2 unit cells and contribute 3 atoms. And, 4 atoms are located inside the unit cell. Henc
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반도체개론 -장지근 외
2) 반도체소자공학 - betty lise anderson외, 서정하 외 역
3) Solid State Electronic Devices - Ben Streetman, Sanjay Banerjee
4) 전자기학 - popovic zoya, 박동철 외 역
5) 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년
6) 엔지니어를 위한 기초전자공학 -
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