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및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1) .PRAM(Phase change RAM),
(3.2) .PRAM Basic Operation
(3.3) PRAM (Writing)
(3.4) PRAM READ
(3.5) Key Technology of PRAM
4.국내외 기술개발 현황
5.해외 차세대 반도체 정보
6.결론
7.참고 문헌
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메모리 기술 조사연구보고서, JEITA 보고서, 2003.
[3] 진화하는 비휘발성 메모리, MRAM, FeRAM, OUM의 해설 Nikkei Electronics, 2002, 12.27 I. 서 론
II. 본론
1. 기존의 상용화 메모리 기술
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술
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)
...(이하 생략). 1. 컴퓨터 시스템에서의 RAM과 ROM의 위치
2. RAM의 종류
3. SRAM과 DRAM의 비교
4. SRAM의 동작원리 - 플립플롭 (자세히)
5. DRAM의 동작원리 - 콘덴서 (간단히)
6. ROM의 종류 및 동작 특성
7. 추가 - Flash Memory
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메모리 동작원리
1) 어드레스 버스
7. 어드레스 / 메모리의 내부 동작
1) 어드레스
2) 메모리의 내부 동작
8. 대기상태 (Wait State)
9. 캐시 메모리 [FIFO]
10. 메모리의 구성 / 고속 DRAM의 출현
1) 메모리의 구성
2) 고속 DRAM의 출현
(1) RDRAM(
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동작은 WE, CE 단자를 통해 조절된다.
ME( pin2)
WE (pin3)
동작
Condition of Output
0
0
Write
Complement of data inputs
0
1
Read
Complement of selected word
1
0
Inhibit storage
Complement of data inputs
1
1
Do nothing
High
64-bit IC RAM-type 7489
< 참고문헌 >
- DigitalDesign, J.F.Wakerly 저, Pren
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