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테브난 정리를 적용해야 한다. 베이스 용량에 대한 테브난 저항은 다음과 같다.
콜렉터 바이패스 회로에서는 R = rc , C= Cc + Cstray 가 된다.
중간 주파수 이상에서는 두 개의 차단 주파수가 있는데 하나는 베이스 바이패스 회로의 차단 주파수이
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베이스 증폭기
<미리생각해보는 실험목적>
<공통 베이스 증폭 회로를 보자>
<이론 공부>
<실험에 필요한 기구들>
<궁금한 점>
공통 컬렉터 증폭기
<미리생각해보는 실험목적>
<공통 컬렉터회로를 보자>
<이론 공부>
<궁금한 점>
<실험에
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베이스 - 콜렉터 전압이득
(1)
(2) (정상적인 회로)
(3) (무부하시)
(4) (바이패스 커패시터가 없는 경우)
트랜지스터의 교류 에미터 저항
(5)
직류해석
(6)
(7)
(8) (βdc가 클 경우, IC = IE)
(9)
(10)
3. 실험
3-1 실험부품
저항 : 100Ω, 330Ω, 1KΩ, 4.7KΩ,
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회로를 그림 17-9에 도시하였으며, 이러한 두 개의 밀러 캐패시턴스는 고주파 입력 RC 회로와 고주파 출력 RC를 생성한다.
그림 17-9 밀러 정리 적용후의 고주파 등가회로
② 입력 RC 회로 (베이스 바이패스 회로)
고주파에서 입력회로는 그림 17-10(
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베이스 이미터 접합은 순방향 바이어스가 걸린다.
선형 증폭이 목적일 때에는 공통 이미터 회로의 차단 상태는 로 결정된다.
입력과 출력의 C1,C2는 결합 커패시터라고 하며, 이미터와 접지 사이에 연결된 C3는 바이패스 커패시터라고 한다. 는
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