|
n형 반도체
그림의 a)와 같이 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 등의 원자가 4가 물질에 5가인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등을 넣으면 안정한 결합을 하고도 전가가 한 개 남아 이 전자가 자유로운 상태의 전자(free electron)가 되어 전기를 운반하는 작용 [
|
|
|
불순물 첨가) 4
1.6 고유 반도체와 비고유 반도체 4
1.7 N형 도핑 4
1.8 P형 도핑 5
1.9 운반자 농도 5
1.10 P-N 접합 5
1.11 반도체 재료의 순도와 물결성 6
1.12 로렌츠 힘 (Lorentz Force) 6
1.13 자기장 속에서 전자가 받는 힘 7
1.14 홀 효과 (Hall Effect) 9
|
|
|
홀 효과의 개념을 이해하고 n형 반도체와 p형 반도체의 홀 효과를 측정하고 홀 계수의 부호와 크기를 결정하고 케리어 농도를 결정하는 것이다.
홀 효과란 자기장에 놓여진 고체에 자기장과 수직인 전류가 흐를 때, 그 고체 내부에 횡단 방향
|
|
|
전류는 INPUT에서 직접 설정하였고, 홀 전압이 측정된 것을 이용하여 홀 계수의 값을 구할 수 있었다. 홀 계수 값은 (+)값일 경우에 홀이 주 캐리어인 N형 반도체임을 알 수 있고 반대로 (-)값일 경우 P형 반도체임을 알 수 있다. 자속밀도 인가에
|
|
|
전류-전압 특성은 식에서 나타나며 그림 8에서는 si p-n접합 다이오드의 일반적인 전류-전압 특성을 보여주고 있다.
그림 8. p-n 접합다이오드
의 일반적인 전류- 전압 특성곡선
그림 8에서 전류-전압 특성은 합복영역을 제외하고는 식에 의해 잘
|
|
 |
홀로그램에 관한 연구 (광운대학, 1985)
(3) 윤재선 저, 기초광학 (다성출판사, 2002)
(4) Hecht 저, 광학 (대웅, 1996)
(5) Jones / Childers 저, 대학 일반물리학 (북스힐, 2001)
(6) 이준신 / 김도영 저, 평판 디스플레이 공학 (홍릉과학출판사, 2005)
(7) Kenneth Krane
|
|
|
및 향후 개발 방향>. 물리학과 첨단기술 (특집 차세대 메모리 편) 2005. 9.
박재근, <차세대 비휘발성 메모리 소자>. 특집 차세대 메모리. 물리학과 첨단기술 (특집 차세대 메모리 편) 2005. 9.
이동수 심현준 외2. <차세대 비휘발성 Oxide 저
|
|
|
홀-센서 피드백 6-스텝 커뮤테이션의 개요
4. BLDC 모터의 제어
4.1 BLDC 모터의 구성
4.2 BLDC 모터의 모델링
4.3 PWM 구현 방식
4.4 PI 전류제어기에 의한 제어
4.5 센서리스(Sensorless) BLDC 모터 제어
4.5.1 역기전력을 이용한 위치 검출
4.5.2 Sen
|
|
|
반도체 기술 연구소(Semiconductor Technology Research)도 Auger recombination을 지지한다. 반면, 버지니아 연방 대학의 Hadis Morkoc 그룹은 슈베르트의 전자유출(홀이 양자우물에 비효율적으로 주입되는 데서 기인하는 것으로 여겨지는) 이론을 지지한다.
혼
|
|
|
전압, 인가되는 전압, 는 부하에 걸리는 전압을 말한다. 또한, 는 Feeder1에 흐르는 전류값으로서 과 같은 값을 의미하며, 는 2차권선에 흐르는 전류, 는 3차권선 및 전류제한기(SFCL)에 흐르는 전류를 말한다.
실험은 사고제한전류의 특성을 알아
|
|
메뉴펼치기
