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산화가 끝났을때에도 끊어진 결합수가 더 많게 되어 계면 덫으로 작용하는 밀도가 커지게 된다. 이런 이유로 실리콘MOSFET에는 (100)웨이퍼가 주로 사용된다.
Qit는 실리콘 웨이퍼의 방향외에 산화온도, 습식(건식)의 산화방식, 산소 부분압등에
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산화수소를 무독한 상태로 바꾸어 버린다.
H2O2 +H2O2 ⇒ 카탈라아제 ⇒ 2H2O + O2
H2O2 + NADH +H+ ⇒ 슈퍼옥시드 디스뮤타아제 ⇒ 2H2O +NAD+ 1. 제한효소
2. 온도
3. 빛
4. 압력 : 대기압, 수압, 삼투압
5. 수소이온농도
6. 산화환원전위(Eh)
7. 산소
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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중 옳은 것은? (4점)
C(s)+O₂(g) → CO₂(g)+395.2kJ
①이 반응은 에너지를 흡수하는 반응이다.
②위의 반응이 일어날 때 주변의 온도가 올라간다.
③탄소가 지닌 에너지는 이화탄소가 지난 에너지보다 많다.
④보다 충분한 양의 산소가 공급되면 C
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온도가 증가할수록 내산화성은 열악함을 알 수 있다. 또 모든 온도구간에서의 산화곡선은 포물선적 모양을 가져 산화반응는 확산에 의해 지배됨을 알 수 있었다.
그림6. long time oxidation curves of Ni3Al-based alloy during isothermal oxidation at 900 1000 and 110
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온도를 조절함에 있어서 외부와 100% 차단되지 못한 것이라 판단된다.
또한 탄소나노튜브가 산화처리된 금속 나노입자들보다 더 높은 열전도도를 갖는 이유는 구형이 아닌 튜브모양이 질량당 표면적이 크기 때문인 것으로 보인다.
6. 결 론
기
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산화 탄소, 프레온 가스 등이 적외선의 지구 복사 에너지를 흡수하여 지표면의 온도를 상승시킨다.
4. 빗물에 황산이나 질산이 섞여 강한 산성을 나타내는 비이다. 이 오염의 영향으로 세계 곳곳에 삼림이 황폐화되고 토양이 오염되며, 하천이
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산화물), SOx(황산화물)
임계온도 - 어떤 물질이 기체상과 액체상이 같아져 더 이상 분리된 상으로 존재할 수 없는 상태가 되는 온도.
방폭구조
폭발이 일어날 수 있는 기계나 건물 같은 것들에서 폭발을 예방하거나 폭발의 피해를 막을 수 있
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산화작용: 과산화수소, 과망간산칼륨, 오존, 염소
ㄴ. 가수분해작용: 강산, 강알칼리, 끓는물
ㄷ. 단백질 응고: 알코올, 크레졸, 석탄산, 포르말린, 승홍
ㄹ. 탈수작용: 식염, 설탕, 알코올
ㅁ. 중금속염의 형성작용: 승홍, 머큐로크롬
-소독약의
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온도까지 가열하는 설비
- 디스케일러 : 재료 표면에 생기는 산화철을 물의 압력을 이용해 제거하는 설비
- 조압연기 : 최종 압연을 위한 준비 압연 설비
- 사상압연기 : 두개의 롤에 힘을 가해 원하는 모양의 형강을 생산하는 설비
- 형강공장
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온도와 도핑농도가 center보다 낮은 것이 원인임을 파악했습니다. 따라서 반응기온도를 높여 열전달을 고르게 하되 thermal budget으로 fast cooling, 할로겐가스/산소압력을 높여 불순물 제거, 산화속도 증가를 개선책으로 제시했습니다. 전기특성에
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산화탄소 소화약제, 할론소화약제, 할로겐화합물 및 불활성기체 소화약제, 분말소화약제
이산화탄소소화약제: 비전도성으로 전기화재에 적합, 공기보다 1.5배 무겁다
장점으로는 피연소물질에 피해를 주지 않으며, 질식·냉각소화작용이 우
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