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회로에서 직류 및 교류등가회로를 그려라.
☞ 생략
8. 문제 7에서 얻어진 직류등가회로에서 를 각각 구하라.
①
②
③
④
9. 문제 7에서 얻어진 교류등가회로에서 전압이득과 베이스 단에서의 입력
임피던스를 각각 구하라.
① 에서
∴
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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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회로에서 직류 및 교류등가회로를 그려라.
☞ 생략
8. 문제 7에서 얻어진 직류등가회로에서 를 각각 구하라.
①
②
③
④
9. 문제 7에서 얻어진 교류등가회로에서 전압이득과 베이스 단에서의 입력
임피던스를 각각 구하라.
① 에서
∴
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증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 1.실험개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경 이론
4. 실험 절자 및 Pspice simulation
5. 고찰
6. 참고문헌
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≪ 그 림 ≫
• Na와 ND는 각각 P영역에 도핑된 억셉터 농도, N영역에 도핑된 도너 농도.
• Ni는 진성 반도체의 캐리어 농도, VT=kT/q는 열전압 1.pn접합다이오드
2.다이오드의 DC해석과 등가모델
3.다이오드의 소신호 등가회로
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