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스핀트로닉스 물질개발을 위한 스핀편극율 100%인 물질 탐구, 초상자성 효과를 극복할 높은 자기이방성의 수직자기이방성 물질 탐구, 반도체나 초전도체와의 hybrid electronics 개발을 위한 spin injection 현상 연구, 정보저장 밀도 및 속도의 궁극적
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스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소자의 핵심물질로 이용될 가능성이 높기 때문이다.
전자스핀의 정보는 매우 긴 거리(~100μm)까지 유지되
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스핀트로닉스의 극히 일부분으로 전자의 스핀정보에 대한 현상 및 이의 물리적 이해에 대한 연구는 이제 시작 단계라고 해도 과언이 아니다. 강자성체-반도체 하이브리드 소자와 같은 신개념 소자에 대한 산업적 가능성은 매우 크다. 중단기
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스핀트로닉스 기술 (차세대 전자회로)
일본 도쿄대학의 연구진은 빛에 의해 조절되는 전자의 스핀이 차세대 전자회로 개발에 획기적인 기여를 할 수 있을 것이라고 'Physical Review Letters'에 보고했다. 연구진은 고체의 양자역학적 물리양인 스핀
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스핀 전계 효과 트랜지스터를 개발하였다집 .
미 국방성에서 첨단 연구를 담당하고 있는 DARPA(US Defense Advanced Rsearch Project Agency)에서도 스핀트로닉스 연구 분야에 향후 수년간 1억달러의 연구비를 투자한다고 밝혔다. IBM과 Motorola 등 유수한 전
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스핀트로닉스 소자를 제작하고, 기존 반도체 소자와의 성능 비교를 수행합니다.
- 양자컴퓨팅 응용을 위해 위상 초전도체를 활용한 논리 게이트 설계를 연구합니다.
3) 기대 효과
본 연구를 통해 위상 절연체 및 위상 초전도체의 전자적 특성
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