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1MS 10MS
VS 1 0 pulse(-1V 1V 0 0.01ps 0.01ps 1ms 2ms)
d 2 0 D1N4002
c 1 2 10uF
r 2 0 100
.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.probe
.end
◎제너 다이오드 특성
.OP
.PROBE
.DC
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전압 를 구할 수 있었다. 또한 이므로 를 이용하여 값을 구할 수 있었다. 키르히호프의 전압 법칙에 의한 식 을 이용하여 컬렉터에미터 전압 의 값을 위와 같이 구할 수 있었다.
◎실험4. 특성곡선의 X축 그리기
[1]Pspice 시뮬레이션
<작동점을
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전압이득을 구하라.
문 제 풀 이
① 전압이득
∴
② 바이폴라 캐패시터 C가 개방되었을 때의 전압이득
∴
11. 그림 7-13의 에미터 공통 교류증폭기에 대해 다음의 교류량을 구하라.
①
②
③ 실험일자
실험자
실험목적
실험
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실험 기구
① 트랜지스터 ② 건전지 ③ 기판 ④ 저항
⑤ 오실로스코프 ⑥ Function Generator
실험 방법
(1)TR의 콜렉터 특성 곡선
① 위 그림처럼 회로를 꾸민다.
② IB를 10 mA로 조정한다. VCE를 1,2,3,4,5,6v로 변화 시켜 가며 그에 따 라 IC값을 측정 한
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1에 전원을 공급하고, 출력전압을 구하여라.
(3) 저항 의 값을 바꾸어가며, 출력전압을 측정하고, 이론치로 계산한 값과 측정치로 구한 값을 표에 기록하라.
※ reference
-「Electric circuits」; 8판, Nilsson
-「회로이론실험」; 출판사-두양사, 저자-이
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1은 기본적인 대역통과필터이다. 이 회로에서 Q는 10보다 적고 반전증폭기로 구성되어 있으며 OP-AMP에 정귀환 방식으로 연결한 2차 능동 대역필터이다. 일반적으로 대역필터는 에 있어서 출력은 최대로 되고, 공진 특성으로 되어 있다. Q가 작을
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1) 기본적인 AND 및 OR 논리 함수의 진리표와 회로 기호의 작성 방법
(2) 다이오드의 순방향 바이어스 상태에서의 전압 특성 설명
(3) 논리 IC 활용 시 전압 레벨 정의 및 1과 0 상태의 전압 범위 기술
(4) 부록에서 74LS08과 74LS32의 내부 구조와 기능
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전압과 전류를 모니터링하고, 후속 분석을 위한 소프트웨어를 통해 데이터를 시각화할 계획이다. 이러한 준비가 완료되면 MOSFET의 특성을 보다 정확하고 명확하게 분석할 수 있는 기반이 확보된다. 1. 실험의 목표
2. 필요한 장비 및 주의
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특성을 명확하게 이해하고 실험에 적합한 회로 구성을 완성할 수 있다. 최종적으로 시뮬레이션 결과는 실험 진행 시 예측된 결과와 비교하는 데 중요한 기준이 된다. 1. 실험의 목표
2. 필요한 장비 및 주의사항
3. 실험 설계 개요
3.1 MOSFET
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다이오드 특성으로부터 firing potential(문턱 전압)을 결정하자. 그림 5.5의 대략적인 직선을 제시하라.
Part 7. Temperature Effects(Demonstration) 실리콘 다이오드를 이용하여 그림 5.4의 회로를 재구성하라. VR을 1V로 세팅함으로써 전류가 약 1mA가 되도록
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