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그래핀이 성장됨을 확인할수있다[10]. 하지만 에피택시성장법은 절연성기판에 그래핀을 직접 성장하는 장점이 있으나, 이방법으로 성장한 그래핀은 스카치테입법이나 CVD 성장법에 의해 성장한 그래핀보다 특성이 뛰어나지못하며 재료가 비
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그래핀 연구 사례 ...................................................................................... 10
6.1 그래핀의 대량생산방법 연구사례 .......................................................... 11
6.2 얇은 두께의 투명한 그래핀 필름 개발 .........
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응용될 수 있고 앞으로도 많은 연구를 통해 더 높은 순도와 증착률, 그리고 step coverage 등의 우수한 특성을 갖는 박막 증착법이 개발되어야 할 것이다.
4. 그림 및 표
그림 1. Diagram of CVD [7]
그림 2. Principle of CVD-1 [8]
그림 3. Principle of CVD-2 [7]
그림
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특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기술의 하나이다. 역사적으로는 1920년대에 고순도의 금속을 얻는 방법으로 요
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물리적 증착에 비해 적게 들고 여러가지 종류의 원소및 화합물의 증착이 가능하며 공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다. 없음
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