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포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3. 이온주입
4. 리소그래피
5. 박막증착
6. 에피택시
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이온들이 생성되어 타겟쪽으로 이동을 하게되고 이동한 이온들은 타겟에 충격을 가하게 되며, 이러한 작용을 받은 타겟의 원자들이 타겟으로부터 떨어져 나와 기판쪽으로 이동하게 된다. 이렇게 이동한 원자들은 기판위에서 응축하게되고
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이온 주입 장치와 공정(工程)의 두가지 측면으로 나누어 생각할 수 있다. 장치의 측면에서 볼 때, 이온 주입 장치는 기본적으로 이온 발생원과 가속 장치, 그리고 고진공(高眞空) 장치를 갖추어야 하며, 이온빔(ion beam)의 구경을 크게 하고 가속
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소자 제작 공정
SOI (Silicon-on–Insulator) 기판준비
보호 산화막 (screen oxide) 증착
채널층 불순물 주입
보호 산화막 제거
건식산화 (dry oxidation)
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 증착
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 이온주입
다결정실리콘 (poly-S
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이온일 경우는 열적효과 이외에 더 격렬한 다음의 세 가지 일을 하게 된다.
1)스퍼터링.
2)이온주입:注入(doping)과 이에 따른 이온 믹싱(ion mixing),
3)표면화학반응 촉진작용.
스퍼터링은 증착된 금속을 이온이 다시 때려 튀어나가게 하는 것이다.
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주입되는 힘에 의해 이동되는 시료들 중, 분자량이 작은 것은 빠르게 밀려나오므로 먼저 검출되며, 분자량이 큰 것은 나중에 용출된다. 이에 따라 GC에서는 Hexane, palmitic acid(16:0), stearic acid(18:0), oleic acid(18:1), linoleic acid(18:2), linolenic acid(18:3) 순
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주입 13
3.2 프리틸트 측정 13
제 4 장 결과 및 고찰 15
4.1 프리틸트각 15
4.2 TN과 OCB의 응답속도 16
제 5 장 결 론 18
參考文獻 19
그림 목차
[그림 2-1] 각 상에 따른 배향정도 3
[그림 2-2] 네마틱액정 4
[그림 2-3] 콜레스테릭 액정 구조 5
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주입 후 10, 20, 30분, 1, 2시간의 ANT., Lat., 사위상
PPT 슬라이드
* 방사성의약품의 집적 기전
Tc-99m sulfur colloid 탐식작용 간,비장,골수
Tc-99m MAA 혈관폐쇄 폐관류
Tl-201 이온교환 심근
Tc-99m technegas 단순확산 폐환기
Tc-99m RBC 일정장소에 위치 장출
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두가지 제시 및 설명하라
① 치환공법 : 연약층의 흙을 양질의 흙으로 교체하는 공법(주로 점토지반을 사질지반으로 교체)
② 동결공법 : 지반에 파이프를 박고 액체질소나 프레온가스를 주입하여 지하수를 동결시켜 차단하는 공법
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